宏力半導體成功開發0.13微米嵌入式EEPROM模塊

　　中國上海，2012年7月30日-上海宏力半導體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導體”)，專注于差異化技術的半導體制造領先企業，宣布成功開發出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模塊(具有單字節擦寫能力)。

　　宏力半導體先進的0.13微米嵌入式非揮發性存儲技術，第一次在0.13微米1.5伏低漏電、低功耗邏輯工藝平臺上實現了閃存模塊和EEPROM模塊的完美結合。基于該先進技術開發出的0.13微米嵌入式EEPROM模塊，數據保持時間達到100年，擦寫次數大幅提高到50萬次。此次顯著的技術創新與提升，標志著宏力半導體在嵌入式非揮發性存儲器技術研發領域邁入了新的里程碑，進一步鞏固了宏力半導體在嵌入式非揮發性存儲器市場的領導地位。

　　“0.13微米嵌入式EEPROM模塊因其耐久的數據保持時間和優異的擦寫能力，一經推出，就受到了客戶的青睞。”企業發展暨戰略單位副總經理傅城博士表示，“搭載該模塊的產品能夠為客戶提供高可靠性、低成本的解決方案，在銀行卡、金融IC卡、移動支付、RFID、電子護照等安全類芯片和MCU中具有廣闊的前景。”