東芝強推功率半導體 登頂世界第一

　　作為進行功率半導體業務的東芝公司在近期發布會上表示，奪取市場份額首位寶座的決心。因認為面向社會基礎設施和汽車等的功率半導體市場將大幅增長，因此東芝首席常務執行董事、半導體和存儲器社長小林清志表示，“我們將向功率半導體投入大量資源，希望在幾年之內登上業界首位的寶座，領先于其他公司”。目前，該公司的市場份額在業界位居第三。東芝準備將自主開發的元器件工藝技術及大口徑化等作為競爭力的源泉，以提高市場份額。

　　據介紹，東芝2011年度在功率半導體方面，對低耐壓品和高耐壓品，均將采用新的元器件構造，以制造電力轉換效率高的產品。例如，低耐壓MOSFET將把原來的“UMOS型”改為新構造，而高耐壓MOS FET將導入具有東芝自主技術經驗的Single Epi構造超結(Super Junction)MOS。據悉，IGBT的耐壓部分將采用較薄的新構造。另外，針對要求高頻工作的用途等，東芝正在開發采用SiC和GaN等新材料的功率半導體。

　　東芝今后考慮，將把NAND閃存生產基地——該公司四日市工廠的200mm生產線制造設備，轉用于功率半導體基地加賀工廠，從而實現“以少量的設備投資額，有效率地實現”大口徑化和產能的提高。由此，將200mm晶圓在功率半導體總產能中所占的比例，到2013年提高至80%以上。并且，因同年加賀工廠的現有生產線將達到滿負荷運轉(Full Capacity)，所以估計需要新建廠房。關于后工序，將把2012年產量的80%、2013年產量的90%轉移到海外，以降低生產成本。功率半導體的后工序在生產成本中所占的比例為40%左右，高于存儲器等，因此海外轉移的成效較大。