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        臺積電加入EIDEC聯盟

        —— 挑戰深紫外線研發技術
        作者: 時間:2011-06-15 來源:DigiTimes 收藏

          與日本瑞薩電子(Renesas)決定加入以研發次世代半導體制造技術為目標的開發中心(EIDEC)。EIDEC是由東芝(Toshiba)領軍,由11間日本企業共同出資設立,致力于研究深紫外線(EUV)微影技術。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/120435.htm

          目前EIDEC已經和ASML等不少半導體大廠合作。其中包含在半導體市場占有率排行龍頭的英特爾(Intel)與老二三星電子(Samsung Electronics),如今坐落第3的也決定加入,造就出半導體三強攜手合作的局面。

          除了半導體廠外,日本國內也有不少感光材料廠和光罩廠加入EIDEC。其中JSR、信越化學工業、東京應化工業3間感光樹脂大廠的合計市場占有率就高達7成。大日本印刷及凸版印刷等各光罩廠的合計市場占有率也足足達到5成。

          ASML預計在2012年度對市場導入微影技術量產機器。但目前作為半導體設計圖的光罩、感光材料和裝置均面臨開發瓶頸,無法和其配合。瓶頸的原因之一,在于日本國內的半導體廠商尚未全面使用最新技術進行生產,導致周圍廠商也不敢冒然跨入次世代市場。

          針對此問題,EIDEC決定從6月中旬開始集思廣益,讓將近40位來自各公司的頂尖工程師,齊聚在茨城縣筑波市的研究開發中心進行研發,目標是在2015年底前成功研發微影技術生產,并將該技術活用于NAND型快閃存儲器和系統芯片,提升自家半導體產品的性能與競爭力。EIDEC希望能集各家之長打破現況,創造10納米的半導體制程技術。

          東芝企圖在2013~2015年度開始量產次世代的NAND型快閃存儲器,屆時微影技術生產將是不可或缺的一環。由于單獨進行技術開發必須支付龐大的費用,所以東芝選擇和經濟產業省合作,扮演EIDEC領導,為次世代半導體市場捉刀。



        關鍵詞: 臺積電 EUVL基板

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