華虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工藝平臺進入量產

　　世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)宣布，公司與其技術合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT(溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺成功進入量產，成為國內第一家提供此類工藝代工的8英寸廠家。

　　在提倡節(jié)能減排、低碳經濟的當今時代，具備節(jié)能效率高、便于規(guī)模化生產、較易實現節(jié)能智能化等優(yōu)點的IGBT已成為功率半導體市場發(fā)展的主流技術。華虹NEC利用多年0.13um以上CMOS和功率MOSFET的經驗，特別是華虹NEC領先的Trench技術，在溝槽的形貌、光滑度和填充等工藝性能穩(wěn)定，可靠性高，可以很好地滿足高端電力電子器件需求的優(yōu)勢，于2009年啟動了IGBT技術研究和開發(fā)。目前已有多家客戶基于華虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工藝平臺開發(fā)產品，具有耐壓高、漏電小、通態(tài)壓降低、米勒電容小、可靠性高等顯著優(yōu)點，多項技術指標已達到業(yè)界先進水平。在此基礎上，華虹NEC將繼續(xù)開發(fā)更高電壓和更大電流的IGBT技術。該技術的產品非常適合用于新能源汽車、家用電器、軌道交通、智能電網、太陽能逆變器等應用領域。

　　華虹NEC銷售與市場副總裁高峰表示：“該項目的成功標志著華虹NEC已成功邁入IGBT代工領域，公司今后還將繼續(xù)著力擴大該領域業(yè)務，吸引、爭取更多的合作伙伴。”

　　在功率分立器件領域，華虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服務的8英寸晶圓廠，也是世界上出貨量最大的廠家，截至目前，分立器件累計出貨超過200萬片8寸晶圓。自2009年以來，華虹NEC連續(xù)推出了溝槽400-700V高壓MOSFET工藝平臺和600-700V超級結結構MOSFET。此次推出的1200V IGBT標志著華虹NEC在功率器件領域的又一個突破，同時，華虹NEC正在開發(fā)的國際領先的1700V到6500V高功率IGBT工藝平臺，預計將在2012年到2013年陸續(xù)進入量產。從低壓到高壓，從MOSFET到IGBT,華虹NEC力爭成為功率器件代工領域的領頭羊。