臺積電買下力晶12寸晶圓廠
—— 作為20納米以下先進制程新基地
臺積電12日宣布,以29億元買下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房,做為20納米以下先進制程的新基地。力晶29億元落袋,可提升現金部位,抵抗DRAM市況寒冬。
本文引用地址:http://www.104case.com/article/116123.htm市場原估計交易金額逾30億元,實際以29億元成交。外界認為,力晶此次「認賠賣廠」,帳面損失約4.18億元,透露DRAM價格暴跌,顯示業者壓力甚大,急需現金挹注。
臺積電指出,這次交易金額將采分期方式付款,力晶預期,第一批帳款最快本季即可入帳。
DRAM價格去年第四季大跌逾五成,元月上旬1GbDDR3合約均價下探0.91美元的歷史低點,價格僅剩去年同期約三成。力晶表示,DRAM市況低迷,公司短期內暫無新增產能需求,將竹科三五路興建中的建物出售。力晶近期并陸續處分非核心事業持股求現,第一波處分力積持股3,571張,獲利2.56 億元,昨天并申報轉讓晶相光持股1,189張。
臺積電表示,買下力晶竹科三五路建物與建地后,將是旗下Fab12第七期基地,以 20納米以下先進制程為主要技術,裝機時間視客戶需求。加上去年8月向世界先進購入的Fab12第六期,三年前竹科管理局釋出的竹科三五路22公頃土地,全數由臺積電統包。設備商預估,以一期12寸廠月產能平均4萬至5萬片估計,臺積電取得世界先進、力晶兩塊地后,位于竹科Fab12,總月產能最高上看 25萬片,超過去年竹科與南科月產能總和,可紓解臺積電12寸產能吃緊。
力晶去年前三季手中現金與約當現金約53億元,去年第四季DRAM價格大跌,現金流入瞬間大減。力晶原規劃發行全球存托憑證(GDR)籌資,但遭主管機關退件,力晶賣廠后可進一步強化公司現金水位。
評論