化合物半導體太陽能電池07年量產(chǎn)

　　使用化合物半導體取代主流結晶硅的太陽能電池面板的量產(chǎn)消息接連不斷。本田近日正式宣布，2007年年產(chǎn)規(guī)模達27.5MW的新工廠將投入生產(chǎn)（發(fā)布資料）。昭和殼牌石油也宣布，2007年1月投入量產(chǎn)。 

　　該公司2005年底開始在宮崎縣田野町尾脅高新技術工業(yè)園區(qū)建設太陽能電池量產(chǎn)廠，計劃2007年1月開工投產(chǎn)。年產(chǎn)量為20MW。由于目前主流的結晶硅太陽能電池原料——多晶硅材料日趨匱乏，因此今后準備量產(chǎn)有望成為替代性能源的化合物半導體太陽能電池。 

　　發(fā)電層厚度為結晶硅型的1/50～1/100 

　　“化合物半導體電池的發(fā)電層厚度為2μm，遠遠要比結晶硅型的100～200μm薄得多。由于材料用量少，因此原料成本就便宜。”在“2005年生態(tài)產(chǎn)品展（時間：2005年12月15～17日，地點：東京BigSight國際會展中心）”上，該公司研究開發(fā)部規(guī)劃管理科的西村隆雄強調(diào)說。該公司在此次展會上展出了化合物半導體型“CIS太陽能電池”。 

　　該公司在獨立行政法人日本新能源產(chǎn)業(yè)技術綜合開發(fā)機構（NEDO）的委托研究基礎上，開發(fā)出了可提高CIS太陽能電池轉(zhuǎn)換效率以及用于量產(chǎn)的關鍵技術。原料為銅（Cu）、銦（In）、硒（Se），取每種材料的頭一個字母，將其命名為“CIS（Copper，Indium，Selenium）”。 

　　轉(zhuǎn)換效率在量產(chǎn)之前將提高至12～13% 

　　計劃量產(chǎn)的是30cm