投資25.4億美元，俄羅斯計劃2030年實現70%芯片設備及材料國產化

10月3日消息，據俄羅斯媒體CNews報道，俄羅斯政府已撥款超過 2400 億盧布（25.4 億美元）支持國產半導體制造所需設備、CAD工具及原材料研發，目標是到 2030 年實現對于國外約70%的半導體設備和材料的國產替代。

報道稱，已經有 50 多個組織參與了該計劃的實施。目前已經啟動了41個研發項目，2024年將啟動26個，2025-2026年將啟動另外43個，共計110個項目。

該計劃由俄羅斯工業部、貿易部、俄羅斯國際科學技術中心 （ISTC） MIET 電子工程部制定，涉及半導體制造的多個環節：技術設備、材料和化學品、計算機輔助設計 （CAD） 系統。俄羅斯工業和貿易部也在完成一項單獨計劃的工作，以加速實現半導體設備關鍵部件的本地化生產。

目前俄羅斯芯片制造商 Angstrem、Mikron 等所能夠生產的最先進的制程工藝依然停留在65nm或90nm等成熟節點，并且大量依賴于國外的半導體制造設備，尤其是光刻設備。

據ISTC MIET負責人雅科夫·別特連科 （Yakov Petrenko） 介紹，俄羅斯目前至少使用了400種不同型號的半導體制造設備，其中只有 12% 可以在當地生產。

自2022年2月俄烏沖突爆發后，美國、歐盟、日本、新加坡、韓國、中國臺灣等地就相繼出臺了針對俄羅斯的半導體的出口管制，這些措施不僅使俄羅斯進口相關芯片變得困難，同時相關微電子制造設備的進口更是難上加難。

報道稱，這些限制措施使得俄羅斯關鍵設備獲取成本提升了 40% – 50%（例如，在印刷電路板上安裝組件、組裝終端設備、制成品的測試和質量控制的設備），因為必須通過走私途徑才能進入到俄羅斯。

因此，為了降低成本并減少對于國外半導體制造設備的的依賴，俄羅斯工業部和貿易部以及 MIET制定了上述國產替代計劃，重點是為微電子生產所需的大約 70% 的設備和原材料開發國內替代品。

作為該計劃的一部分，俄羅斯計劃開20 條不同技術路線的國產設備，包括從 180nm 到 28nm 的微電子學、微波電子學、光子學、電力電子學、光掩模生產、電子元件和模塊的組裝、無源電子學的生產等。

雖然該計劃的戰略目標看起來很明確（到 2030 年以 25.4 億美元的價格實現 70% 的芯片制造設備和原材料的國產化），但具體的細節卻相當模糊。

具體來說，俄羅斯計劃在2026年底實現利用國產設備來生長單晶、切割硅晶圓、研磨和拋光、洗滌和干燥、應用元素并控制輸出產品（X 射線衍射儀、缺陷控制）。同時，在2026年底完成用于 350nm 和 130nm 工藝技術的光刻設備和用于 150nm 生產節點的電子束光刻設備的開發，并能夠掌握外延法（即在單個襯底上生長多層半導體材料的過程）工藝。

更遠期的目標是，到2030年，俄羅斯能夠自主生產65nm或90nm制程的國產光刻系統，這將顯著提高該國生產微電子產品的能力，但仍將落后于目前全球行業領先水平25至28 年。

值得一提的是，在今年5月，在CIPR 2024會議期間，俄羅斯聯邦工業和貿易部副部長瓦西里·什帕克（Vasily Shpak）告訴塔斯社記者稱，俄羅斯首臺國產光刻機已經制造完成，并正在澤列諾格勒進行測試，該設備可確保生產350nm的芯片。

在預算分配方面，2400 億盧布（25.4 億美元）的資金支出將分布在各種國家計劃當中，包括“電子和無線電電子工業的發展”計劃和“俄羅斯的科學和技術發展”計劃。

其中，2023-2025 年將有超過 1000 億盧布的“俄羅斯科學技術發展”得到補貼，這筆錢將用于開發微電子、微波、電力和光電子生產設備以及各種專用材料的研發工作。2023-2030年，俄羅斯 CAD 系統開發路線圖的研發 （R&D） 投入將達到 546 億盧布。

雖然俄羅斯的半導體產業鏈國產化目標很龐大，但是相對于龐大且復雜的半導體產業鏈來說，25.4 億美元資金投入顯然是遠遠不夠的。

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編輯：芯智訊-浪客劍