三星2nm制程將增加30%的EUV光刻層
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7月19日消息，據韓媒TheElec報道，與三星的3nm制程相比，明年即將量產三星2nm制程將會多出30%的極紫外（EUV）光刻層。
三星于2018 年首次開始在其 7nm 邏輯制程工藝節點上開始應用 EUV，從那時起，隨著遷移到5nm，再到3nm，三星在芯片生產過程中的EUV光刻層的數量或EUV工藝步驟的數量也在持續增長。
報道援引消息人士的話表示，三星的2nm制程已經增加到了 20 層的EUV光刻層。而三星的1.4nm則預計將有30多個EUV光刻層。
與此同時，三星也將EUV應用于其DRAM生產。三星為其第 6 代 10nm DRAM 應用了多達 7 個 EUV 層，而 SK 海力士則應用了 5 個EUV光刻層。隨著越來越多的芯片制造商擴大其EUV工藝步驟，光刻膠、空白掩模和薄膜等相關行業也有望增長。
根據三星此前公布的工藝路線圖顯示，2nm SF2制程2025年推出，較第二代3GAP 3nm制程，相同運計算頻率和復雜度情況下課降低25%功耗，相同功耗和復雜度情況下課提高12%計算性能，減少5%芯片面積。
接下來的2nm SF2Z 制程采用了優化的背面供電網絡 (BSPDN) 技術，該技術將電源軌置于晶圓背面，以消除電源線和信號線之間的瓶頸。與第一代 2nm 節點 SF2 相比，將 BSPDN 技術應用于 SF2Z 不僅可以提高功率、性能和面積 (PPA)，還可以顯著降低電壓降 (IR 降)，從而提高 HPC 設計的性能。SF2Z 預計將于 2027 年實現量產。
三星還公布了其他 2nm 工藝的發布日期。用于移動領域的 SF2 和 SF2P 將分別于 2025 年和 2026 年推出。針對人工智能和高性能計算的 2nm 工藝將于 2026 年推出，早于 BSPDN 工藝。該公司還將于 2027 年推出用于汽車的 SF2A 工藝。
編輯：芯智訊-浪客劍
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