傳三星計劃采用4nm生產HBM4的邏輯芯粒
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7月16日消息，據《韓國經濟日報》引述未具名消息人士報導，三星準備運用4nm制程，量產第六代高帶寬內存——HBM4的邏輯芯粒（logic die）。
據介紹，邏輯芯粒位于HBM堆疊的最底層，為HBM的核心元件。目前DRMA制造商已能為HBM3E等現有產品制造邏輯晶粒，但HBM4具備客戶要求的客制化功能，因此需要額外導入晶圓工序。
目前，4nm是三星主打的先進制程工藝，良率超過70%。三星也運用這項制程生產其旗艦AI智能手機Galaxy S24所搭載的Exynos 2400處理器。
一名業界人士指出，“4nm制程遠比7nm、8nm昂貴，但芯片性能與功耗的表現也更好。”“目前三星是以10nm制程生產HBM3E的邏輯芯粒，現在計劃運用4nm來生產，是希望借此奪得HBM技術的領導地位。”
SK海力士今年4月已宣布與臺積電合作，依據雙方最近在臺北敲定的備忘錄，兩家半導體巨頭將合作開發第六代HBM4芯片，預計2026年量產。
編輯：芯智訊-浪客劍
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