今天教你4個步驟選擇一個合適的MOSFET。第一步：選用N溝道還是P溝道 為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅動的考慮。 要選擇適合應用的器件，必須確定驅動器件所需的電壓，以及
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MOSFET 選型
為了滿足AI服務器和電信領域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩健的線性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實現溝槽?MOSFET的RDS(on)與經典平面?MOSFET?的寬安全工作區（SOA）之間的理想平衡而設計。該半導體器件通過限制高浪涌電流防止對負載造成損害，并因其低RDS(on
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英飛凌 OptiMOS MOSFET 熱插拔
做了一個3KW碳化硅電源！(全稱：碳化硅3KW圖騰柱PFC)它能起到什么作用？具體參數是（第1章）？怎么設計出來的（第2章）？實測情況（第3章）？原理是（第4章）？開源網址入口（第5章）？下文一一為你解答！1.基礎參數雙主控設計：CW32+IVCC1102輸入：AC 110V~270V 20Amax輸出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W設計功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作為3KW LLC電源或者全橋可調電源的前級PFC環節；②
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碳化硅 3KW 電源 電路設計
隨著汽車產業加速朝向智慧化以及互聯系統的發展，強茂推出最新車規級60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車電子系統的性能與能源效率，降低導通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為
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強茂 SGT MOSFET 車用電子
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質原子擴散系數非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構（形成pn結）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術：在SiC中進行離子注入時，對于n型區域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩定地進行高濃度的Al離子注入，需
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三菱電機 SiC
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業和計算應用領域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導通電阻降低了68.3 %，導通電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中MOSFET的關鍵品質因數（FOM）降低了1
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Vishay MOSFET
為適應公司戰略發展需要，經深圳市市場監督管理局核準，深圳基本半導體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續，公司名稱正式變更為“深圳基本半導體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導體發展的重要里程碑，標志著公司治理結構、經營機制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發展階段。從即日起，公司所有業務經營活動將統一采用新名稱“深圳基本半導體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團總部大樓，詳細地址為：深圳市坪山區龍田街道老坑社區光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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基本半導體 銅燒結 碳化硅 功率芯片
SiC 功率器件市場規模逐年擴大，并將保持高速增長。
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SiC 功率器件
意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
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意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
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東芝 低導通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET 驅動逆變器
Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計。與傳統的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創新的單元件解決方案，在簡化設計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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SiC MOSFET柵極保護 非對稱瞬態抑制二極管 Littelfuse
碳化硅（SiC）6吋基板新產能大量開出，嚴重供過于求，報價幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國大陸制造成本價），第四季價格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產業人士指出，價格崩盤已讓絕大多數業者陷入賠錢銷售，而買家不敢輕易出手撿便宜，因為買方預期SiC價格還會再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產，但2024年報價已快速下滑，尤其是中國大陸價格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業者分析，8吋SiC基板并沒有標準價格，供應鏈端仍屬于試產階段，供給
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碳化硅 基板
據“融中心”消息，大連市中韓經濟文化交流協會、韓中文化協會及安徽鉅芯半導體科技有限公司（以下簡稱：鉅芯半導體）在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標志著三方在碳化硅領域的合作正式開始。據悉，三方本次合作的核心內容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調關鍵零部件的生產展開，將共同打造高質量的碳化硅產品生產線。據了解，今年以來，部分韓國半導體廠商正在持續發力碳化硅產業，并不斷取得新進展。據韓媒ETnews報道，今年3月26日，半導體設計公司Power Cube
Semi宣布，已在韓國首次成功開發出2
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碳化硅 鉅芯半導體
全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
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SiC
碳化硅(sic)mosfet介紹
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