- 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在低電流區域，SiC MOSFET的通態壓降明顯低于Si IGBT的通態壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
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三菱電機 SiC MOSFET
- 簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖 1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統硅技術，基于雙極結型晶體
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碳化硅 Cascode
- 簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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碳化硅 Cascode JFET 碳化硅 安森美
- SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態特性和動態特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產品已廣泛產品化。SiC SBD的某些產品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
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三菱電機 SiC SBD
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產品共3款機型，包括非常適用于企業級高性能服務器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級數據處理技術的進步和數字化轉型的加速，
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ROHM AI服務器 服務器電源 MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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東芝 SiC MOSFET 柵極驅動 光電耦合器
- 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！http://www.104case.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯的五大難題，破解方法終于來了！http://www.104case.com/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯設計的挑戰，本文將介紹演示和測試結果。演
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SiC JFET 并聯設計
- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) ，和中國化合物半導體龍頭企業（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產品）三安光電近日宣布，雙方在重慶設立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導體有限公司”，以下簡稱安意法）現已正式通線。這一里程碑標志著意法半導體和三安正朝著于2025年年底前實現在中國本地生產8英寸碳化硅這一目標穩步邁進，屆時將更好地滿足中國新能源汽車、工業電源及能源等市場對碳化硅日益增長的需求。三安光電和意法
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安意法 意法半導體 碳化硅 碳化硅晶圓
- 在這里，我們比較了碳化硅 （SiC） 與硅以及在汽車和可再生能源等行業的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅 （Si） 到碳化硅 （SiC）：改變電力電子的未來電力電子技術在過去幾年中取得了前所未有的進步。硅 （Si） 等傳統半導體材料一直主導著電力電子和可再生能源行業。然而，碳化硅 （SiC） 的出現徹底改變了這一領域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
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碳化硅 SiC 電力電子
- 1 我國能源汽車已突破1000萬輛，今年將增長24%據賽迪顧問 2024 年 12 月發布的數據預測顯示，我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩居七成以上，我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據中國汽車工業協會的統計數據顯示，2024年我國汽車產銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7％和4.5％，繼續保持在3000萬輛以上規模，產銷總量連續16年穩居全球第一。其中，新能源汽車產銷首次突破1000萬輛，分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4％和35.5
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- 自央視頻官方獲悉，格力電器董事長董明珠在紀錄片中，再次回應外界對格力造芯片質疑，并談到了格力建設的芯片工廠，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力電器孤勇地冒險，是作為中國制造企業的責任與擔當。格力做了亞洲第一座全自動化的碳化硅工廠，整個芯片的制造過程是自己完成的。而在芯片工廠制造的過程中，格力解決了一個最大的問題。“傳統的芯片工廠用的環境設備都是進口的，比如恒溫狀態，而這正好是格力強項。所以我們自主制造了整套系統的環境設備，要比傳統的降溫模式更節能，而這可以降低企業的成本。”董明珠也
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- 電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統硅技術，基于雙極結型晶體管（B
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SiC Cascode JFET AC-DC
- 簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業基準。在第 4 代發布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。市場上的某些廠商只關注特定品質因數?(FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
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Wolfspeed 碳化硅 高功率應用
- 電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。這兩個產品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
- 安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術已經發布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側重于探討專為低電池電壓領域的高速開關應用而設計的先進 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術。通過各種特性測試和仿真，評估了 MOSFET 相對于同等競爭產品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎知識、M3S 技術和產品組合（三代進化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術發展解析
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