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MOSFET器件的高壓CV測(cè)試詳解
- _____MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說明書中提供。圖1 功率MOSFET的組件級(jí)電容三端功率半導(dǎo)體器件的電容可以在兩種不同的量級(jí)上看待：組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個(gè)設(shè)備終端之間的電容。在電路上觀察電容涉及到描述組件級(jí)電容的組合。例如，圖1說明了一個(gè)功率MOSFET的組件級(jí)電容
- 關(guān)鍵字： MOSFET器件 高壓CV測(cè)試 Tektronix 泰克
技術(shù)知識(shí)：嵌入式功率系統(tǒng)的100V MOSFET器件
- 高效的AC/DCSMPS與DC/DC轉(zhuǎn)換器是現(xiàn)代功率架構(gòu)的主干，用于驅(qū)動(dòng)電信或計(jì)算機(jī)等系統(tǒng)。為了滿足市場(chǎng)對(duì)這些轉(zhuǎn)換...
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