- 三星和東芝公司已經宣布了一個合作計劃，旨在制定新規范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術，這比目前版本的NAND閃存接口技術快了十倍，這項技術將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發的ONFI接口進行直接競爭，主要面向高性能產品例如SSD以及智能手機和消費電子產品。
三星和東芝公司目前供應NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業內具有相當大的話語權，這對他們的新規范計劃將非常有利。
三星上個月
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三星 NAND 30nm
- 日廠爾必達(Elpida)將與飛索半導體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發NAND Flash制程技術與產品外，爾必達將為飛索半導體代工生產NAND Flash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發NOR Flash，并為其代工的可能性。
據悉，爾必達已取得飛索的NAND IP技術的授權，該項技術乃是以其稱為MirrorBit的獨家技術為基礎。此外，爾必達計劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產高階NAND Flash，而雙方亦將各自進行客戶營銷。
路透(Reut
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爾必達 NAND
- 三星和東芝今天共同宣布，雙方將協力支持新一代高性能NAND閃存技術：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規范。兩家公司將支持這一規范成為行業標準，被業界廣泛接受使用。
最初的SDR NAND閃存架構接口速度僅為40Mbps，現行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規范則進一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。
高速閃存接口的優勢不言而喻，未來將
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三星 NAND 東芝
- 閃存業兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規范的制訂工作，這種新一代閃存標準規范的接口數據傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規范使用的閃存芯片存儲密度參數。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應用。
現有的DDR1.0版本NAND閃存接口規范只是將DDR數據傳輸接口與傳統的單倍數據傳輸率NAND單元結合在一起使用，接口數據傳輸率僅133Mbit/s
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三星 NAND
- 據了解，日商爾必達已決定來臺設立研發中心，且選定投入高階技術NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導體業者進一步合作。
據悉，爾必達與臺灣創新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業者聯合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經濟部遞出在臺設立研發中心的初步計劃書，經濟部正進行審查中。
官員透露，爾必達來臺設立研發中心的計劃相當成熟，已進入實質合作內容洽談中，研發中心切入的產品并非一般的動態存儲器
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TIMC NAND DRAM
- 全球半導體市場需求成長已優于2008年秋季金融危機爆發前的水平，2010年5月半導體銷售額續創新高。就地區別來看，含大陸在內的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續成長中，已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態值得關注。
美國半導體產業協會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統計數據指出，金融危機爆發前全球半導體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導體銷售額達2
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DRAM NAND
- 編者點評：每年的SEMICON West時，時間己經過半，所以業界都會關心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導體業可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設備業看似今年的增長幅度達90%，但是許多設備公司仍是興奮不起來，因為2010年業績的增長仍顯不足于彌補之前的損失。而未來的前景有點模糊，增長點來自哪里?似乎誰也說不清楚。
SEMICON West美國半導體設備展覽會即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導體設備業有點紅火。
按市場調研公司 VLSI預計，2010年半導體設備業增長96%
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半導體設備 NAND DRAM
- 近期臺灣創新存儲器公司(TIMC)獲得經濟部補助，聯合茂德、晶豪打算從NAND Flash產業重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場，3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產業6年來投入新臺幣70億元，是臺灣血統最純正技術，目前力晶NAND Flash技術腳步相較于國際大廠仍晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發是很大突破。
事實上，力晶NAND Flash產品系師承日商瑞薩(Renes
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TIMC NAND
- 據iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。
iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產品存儲數據。
今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現下降的趨勢。但是，智能手機等產品正在集成視頻攝像機等組件，從而產生了額外的存儲需求。
廠商產量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據合同義務和關系向關鍵
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NAND 閃存芯片
- 據iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。
iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產品存儲數據。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現下降的趨勢。但是，智能手機等產品正在集成視頻攝像機等組件，從而產生了額外的存儲需求。
廠商產量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據合同義務和關系向關鍵的合作
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NAND 閃存芯片
- 6月10日消息，據路透社報道，全球最大的記憶體芯片生產商韓國三星電子周四表示，計劃投資36億美元，擴大其在美國的芯片生產能力。
三星電子的海外唯一一家芯片廠就設在美國得克薩斯州的奧斯汀，此次產能擴增主要是針對生產大型積體電路(LSI)芯片的設備。
奧斯汀工廠主要生產用于手機和數碼相機的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱，工廠擴產計劃還包括增聘500名員工。
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三星電子 NAND
- 至此，對于今年全球電子工業的看法是樂觀的，而且是有相當大的增長。
但是作為一個編輯者仍有些擔憂，以下是對于2010年有10個理由來看好或者是看衰半導體業。
1. IC熱，然后冷
Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導體銷售額達2900億美元， 與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預測，2010年增長19.9%相比有明顯提高。
芯片銷售額的增長明顯超過系統產品銷售額的增
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半導體 DRAM NAND
- 按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導致與之相關連的全球前20大半導體制造商排名中有10家位置發生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。
同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。
三星在本月初時，它將擴大今年半導體的投資達96億美元， 也即表示
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DRAM NAND 半導體制造
- 6月3日消息，據臺灣媒體報道，全球DRAM模組龍頭美國金士頓創辦人孫大衛昨天在臺表示，DRAM廠的制程轉換技術門檻不低，再加上智能手機等新的應用產品，帶動DRAM需求，他認為下半年的DRAM市況應該會好。
孫大衛表示，DRAM制造廠越來越少，各大廠多進入制程轉換的階段，總產出量恐比實際預期要低。而在智能手機、3D電視等多元化的新應用產品紛紛出線下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現供不應求的情況。
南韓三星電子大舉提高資本支出的計劃，讓臺系廠商非常緊張。孫大衛則認為，目前全球的
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DRAM NAND 智能手機
- NAND閃存的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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閃存 設計 映射 適應 NAND
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