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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關
- 2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。 NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
- 關鍵字： Samsung NAND DRAM
三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程NAND閃存
- 據(jù)外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。 20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。 三星電子相關負責人表示，公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。 三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。 此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
- 關鍵字： 三星電子 20納米 NAND
三星第一季營業(yè)利潤38億美元同比猛增7倍
- 據(jù)國外媒體報道，三星電子今天發(fā)布的財報顯示，受益于PC需求增加以及電視價格上漲，該公司第一季度營業(yè)利潤同比猛增7倍。 利潤增長 三星的初步財報顯示，該公司第一季度營業(yè)利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元)，上下浮動區(qū)間為2000億韓元，去年同期調(diào)整后營業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據(jù)彭博社的調(diào)查，15名分析師此前對三星營業(yè)利潤的中位數(shù)預期為4.27萬億韓元。 外界預計，受到存儲芯片以及平板顯示器價格上漲的刺激，三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績。受此影響，三星股價周一創(chuàng)下歷史新高。分析
- 關鍵字： 三星電子 NAND 存儲芯片
嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用
- 嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用,當前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應用在程
- 關鍵字： 應用 原理 Nand-Flash 系統(tǒng) 嵌入式
2009年亞太半導體供應商表現(xiàn)出色
- 來自調(diào)研公司 iSuppli的統(tǒng)計顯示，2009年半導體產(chǎn)業(yè)整體處于下滑狀態(tài)，但總部在亞太地區(qū)的半導體供應商卻實現(xiàn)了逆勢上漲。 亞太區(qū)供應商專注熱門產(chǎn)品 iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，2009年總部位于亞太地區(qū)的半導體供應商合計營業(yè)收入實際增長2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導體營業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。 “去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢黯淡，而亞太地區(qū)的供應商卻設法實現(xiàn)了增長，因為他們專注于
- 關鍵字： 芯片 NAND
東芝計劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存
- 東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。 目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術，主要應用于手機及數(shù)字相機等電子消費產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術，因此，東芝也將進行相應的技術升級。目前，東芝已向荷蘭半導體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購設備，預計在今年夏天試驗投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過同類電氣機器指數(shù)0.8%的漲幅
- 關鍵字： 東芝 NAND 閃存
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