- 據國外媒體報道，英特爾和Micron已經開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術。
首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售，用于SD卡存儲設備。該芯片在每個存儲單元中保存三位信息，而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱，這種芯片是目前市場上最有效率的。
英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經是業(yè)界最小的尺寸，在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后，公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級的產品。公司計劃利
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英特爾 NAND 存儲芯片
- iSuppli今天警告稱閃存價格可能崩潰性地調整到1美元/GB，這是因為用于閃存產品的NAND記憶體價格今年開始沖高回落，并且技術的演變讓內存單元的價位開始雪崩。
由于下降的價格，目前看上去過于昂貴的SSD將在兩年時間內開始成為主流，而成本低得多的硬盤處理器則開始在高端市場被SSD擠占。
此外，快閃記憶體價格的總體下降對于各種手持設備是一個極大的利好消息，各種手機、智能本廠商將會帶來更加豐厚的利潤空間，乃至最后降低產品售價。
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NAND SSD
- 英特爾和美光當地時間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產品的存儲容量。
新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達64G位(相當于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。
兩家公司稱，使用NAND閃存的數碼相機和便攜式媒體播放器等產品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。
兩家公司已經向客戶發(fā)送樣品，預計將于今年底投入量產。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產。與每單
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英特爾 NAND 閃存芯片
- 2010年NAND Flash產業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。
近期大陸因為亞運因素，
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Apple NAND Flash
- 韓國海力士聲稱，在其M11的300毫米生產線上開始利用20納米技術進行64Gb的NAND閃存量產。
該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產，采用現有的32Gb產品進行疊層封裝完成。
海力士稱它的芯片是26nm的一種，有人稱20nm級產品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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海力士 20納米 NAND
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產出持續(xù)增加下，全球DRAM產業(yè)第二季營收數字達107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元，較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。
三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠
從市場面觀察，由于第二季 DRAM 合
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DRAM NAND
- 南韓內存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節(jié)點后，芯片的生產率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。
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Hynix Cheong-ju M11工廠
Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
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Hynix NAND 20nm
- 摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動給應用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個階段及實現從NAND Flash啟動的原理和思路，并根據NAND Flash的物理結構和存儲特點，增加U-
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實現 啟動 Flash NAND U-Boot
- 日本半導體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內存事業(yè)表現亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。
東芝半導體事業(yè)的營業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長村岡富美雄表示，受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動，加上 NANDFlash均價跌幅趨緩，東芝半導體事業(yè)表現遠超過預期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
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東芝 NAND
- VLSI提高IC預測，但是該公司看到雖然很多產品供不應求，但是有一種可能DRAM市場再次下跌。
同時由于經濟大環(huán)境可能對于產業(yè)的影響，目前對于產業(yè)抱謹慎的樂觀，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。
VLSI在它的最新看法中發(fā)現各種數據是交叉的，按VLSI的最新預測，2010年IC市場可能增長30%，但是2011年僅增長3.7%。而2010年半導體設備增長96%。
而在之前的預測中認為2010年全球IC市場增長28.1%，其它預測尚未改變。
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芯片制造 NAND
- 無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。
要感謝產業(yè)的很快復蘇，預測2010年全球閃存市場已經很熱，然而按Web-Feet Research報告，其供應鏈部分卻遭受困境。
按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達215億美元。
這是好的消息而壞消息在供應鏈中也開始傳了出來。
Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場中有些購買者采
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閃存 NAND NOR
- iPhone、iPad等蘋果i家族產品的熱銷，正引發(fā)連鎖反應。
7月28日，閃存企業(yè)SanDisk全球高級副總裁兼零售業(yè)務部總經理Shuki Nir在上海接受本報記者專訪時表示，蘋果產品的熱銷消耗了整個閃存芯片市場不少庫存，目前行業(yè)正處于供不應求的局面。
受此拉動，閃存芯片巨頭們普遍迎來了一個靚麗的財季。
近期陸續(xù)出爐的最新一季財報顯示，在iPhone以及iPad的拉動下，閃存芯片近期需求及價格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當季的銷售
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- 據國外媒體報道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示，受芯片業(yè)務大幅增長的推動，公司第二季度凈利潤同比增長83%。
在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運營利潤為5萬億韓元(約合41億美元)，創(chuàng)公司季度運營利潤歷史新高，同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元，較去年同期增長17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財報顯示，公司第
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三星電子 NAND 閃存芯片
- 未來半導體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點時發(fā)現了許多問題。目前盡管EUV光刻己經基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
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半導體制造 DRAM NAND
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產后，采用該產品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。
三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產品將
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