- 1引言我們將針對FPGA中內部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結合來改進設計的方法，并給出...
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FPGA SRAM
- 富士通半導體有限公司和SuVolta公司宣布，通過將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現的終極“生態”產品鋪平道路。技術細節和結果會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發表。
從移動電子產品到因特網共享服務器，以及網絡設備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電
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富士通 SRAM
- 富士通半導體和SuVolta宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現的終極“生態”產品鋪平道路。技術細節和結果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發表。
從移動電子產品到因特網共享服務器，以及網絡設備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應電壓又是決定功耗的重要因素
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富士通 SRAM
- 富士通半導體有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通過將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術集成，已經成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態隨機存儲)模塊可以正常運行。這些技術降低能耗，為即將出現的終極“生態”產品鋪平道路。技術細節和結果將會在12月5日開始在華盛頓召開的2011年國際電子器件會議(IEDM)上發表。
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富士通 SuVolta SRAM
- 摘要：提出一種新型的6管SRAM單元結構，該結構采用讀／寫分開技術，從而很大程度上解決了噪聲容限的問題，并且該結構在數據保持狀態下，采用漏電流以及正反饋保持數據，從而不需要數據的刷新來維持數據。仿真顯示了正
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單元 設計 SRAM 功耗 可靠性 新型
- DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的 ...
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SRAM DS1747
- 2011年10月24日，北京訊，加州圣何塞訊——SRAM領域的業界領先者賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日...
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SRAM 賽普拉斯 FPGA
- 據美國物理學家組織網近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備——鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發表在美國化學學會的《納米快報》雜志上。
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FeTRAM SRAM
- 嵌入式MIPS32 M4K處理器內核SRAM接口應用, 在微控制器尺寸和成本的限制下，M4K內核內部不支持指令高速緩存(I-cache)或數據高速緩存(D-cache)的標準功能。本文重點討論的一個內容--SRAM接口，這是MIPS32 M4K內核的一個標準功能。 M4K內核SRAM接口基本描述
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SRAM 接口 應用 內核 處理器 MIPS32 M4K 嵌入式
- 本文介紹了一種基于微控制器的PLD ICR控制電路，該控制電路結構簡單、占用空間小、性價比較高，適用于需要ICR功能的電子裝置中，該ICR控制電路是為配置ALTERR系列PLD器件來設計的，稍加屐也適用于XILINX公司的FPGA器件。這個配置電路的主要弱點在于配置速率較慢，只能適應用于配置速率要求不高的應用。
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SRAM PLD 可重配置 電路
- 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業界領先的 SRAM 產品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統性能，從而充分滿足電信、計算機、外設、消費類產品、醫療、軍事等領域的應用需求。
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賽普拉斯 SRAM
- 賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL （更長電池使用壽命）異步 SRAM。這些器件的推出進一步豐富了賽普拉斯業界領先的 SRAM 產品系列（包括高性能同步、異步和微功耗器件）。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統性能，從而充分滿足電信、計算機、外設、消費類產品、醫療、軍事等領域的應用需求。
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賽普拉斯 SRAM
- Cortex―M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究,引言
目前，對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運用在生產過程中，但是生產過程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障。在其使用過程中，如果SRAM硬件出錯，將導致程序出錯而且很難被發現
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軟件 檢測 研究 故障 單元 M3 SRAM Cortex
- 互聯網的飛速發展極大地促進了高速數據通信系統的需求量增加，同時也促進了更快速的處理器的發展，推動了存儲器...
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SRAM Spartan3
- QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設計,為了滿足當前系統和處理器的生產量需求，更新的靜態存儲器應運而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung為高性能的網絡系統應用而共同開發的一種具有創新體系結構的同步靜態存儲器。 1 QDR SRAM的
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接口 設計 FPGA Spartan3 SRAM QDR
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [
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