編者點評：存儲器是半導體業的風向標。它的特點起伏大，幾乎每十年有一次大的變動及盈利一年要虧損2-3年。另一個是反映半導體制造工藝能力水平，通常新建生產線會采用SRAM工藝來通線及會盡可能的采用最先進工藝技術。另外存儲器的產值約占半導體的23%，但其投資會占到半導體的40-60%。盡管看似供求市場決定它的周期變化, 非常簡單,然而實際上操作很難。所以韓，美包括臺灣地區都不會輕易退出此領域。中國是全球最大的半導體市場, 從長遠戰略看不該缺席存儲器。
美光公司報道它的季度業績由虧損3億美元轉變到盈利9
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美光 存儲器 SRAM
東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑制SRAM的最
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SRAM SoC 低電壓
瑞薩電子開發出了一種新型SRAM電路技術，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現合適的工作裕度。以上內容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產品，該公司試制出了bit密度達到業界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞薩電子 SRAM CMOS
東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美國夏威夷州檀香山)上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑制SRAM的最小驅動電壓上升。東芝此次證實，單元面積僅為0.24μm2的32Mbit SRAM的驅動電壓可在確保95%以上成品率的情況下降至0.9V。因此，低功耗SoC的驅動電壓可從65n
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東芝 40nm SoC SRAM
賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創業界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應時間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統和軍事系統。
CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48
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Cypress SRAM
由于架構方面的需要，Intel處理器通常都配備有大容量緩存，比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二級緩存、雙核心Itanium曾有24MB三級緩存。現在，Intel又準備繼續提高緩存密度了，而且有意使用新的緩存類 型。2010年度超大規模集成電路技術研討會即將于下月5-7日舉行，Intel將會通過兩個主題演講，介紹他們在處理器緩存技術上的最新研究成果，特 別是有望取代現有SRAM的“浮體單元”(Floating Body Cell/FBC)。
SRAM和eSRAM
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Intel SRAM
Maxim推出帶有1024字節無痕跡存儲器的安全管理器DS3644，可安全存儲敏感數據。器件內部的篡改監測器能夠有效抵御時鐘、電信號和溫度篡改事件，還可將篡改檢測輸入連接至外部傳感器，實現靈活的定制特性。片內無痕跡存儲器允許終端用戶在發生特定篡改事件時有選擇地清除存儲器數據。這種具有專利保護的存儲器架構*能夠確保在發生篡改事件時立即擦除數據，從而提高了基于SRAM存儲器的系統安全等級。DS3644能夠滿足政府設施、軍事系統等高安全等級應用的要求，適用于需要監測多種篡改操作的系統。
DS3644能
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Maxim 存儲器 SRAM DS3644
為數字消費、家庭網絡、無線、通信和商業應用提供業界標準處理器架構與內核的領導廠商美普思科技公司和備受半導體業界信賴的IP伙伴Virage Logic 共同宣布，雙方將結成合作伙伴關系為兩家公司的共同客戶提供優化嵌入式內存IP。Virage 的Logic ASAP 90nm SRAM內存實體(memory instance)以及 SiWareTM 65GP高密度SRAM編譯器(SRAM compiler) 系列產品專為MIPS32處理器而優化，以協助客戶加速為藍光DVD、HDTV、IPTV、機頂盒和寬帶
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MIPS SRAM 嵌入式內存
SRAM行業的領導者賽普拉斯，與領先的核心數據傳輸及交換功能IC的供應商TPACK日前聯合宣布，為超高速以太網交換和排隊管理應用推出一款參考設計。全新的Springbank參考設計結合了TPACK的 TPX4004高容量集成包處理器和流量管理器，以及賽普拉斯的CY7C15632KV18 72-Mbit Quad Data Rate™II+ (QDR™II+)SRAM，從而能提供最快的速度，并且未來升級非常簡單。TPACK參考設計還提供對各類FPGA的便捷接口，擁有強大的應用支持
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Cypress SRAM 65nm
存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半導體業中有獨特的地位。業界有人稱它為半導體業的風向標。
縱觀DRAM發展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。
在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
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存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
臺灣科研機構今天宣布,開發出全球第一個16納米的SRAM新組件,由于可容納晶體管是現行45納米的10倍,這可使未來電子設備更輕薄.
臺“國研院”成功開發出16納米SRAM新組件,主要是創新3項關鍵技術,包括“納米噴印成像技術”、“320度低溫微波活化”及“N型鍺組件研究”;由于相較傳統微影光學成像技術,不需使用到光阻及光罩,預估也可省下每套新臺幣2億元的光罩費用.
該研究機構上午舉行&ldquo
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16納米 SRAM 45納米
本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統下配置使用處理器片內SRAM的應用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。
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應用程序 優化 設計 SRAM 片內 Cold Fire Linux 音頻
SRAM行業的領先者賽普拉斯半導體公司日前推出了業界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產品成為其65納米SRAM產品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術，由臺灣聯華電子(UMC)的芯片工廠代工生產。該產品擁有市場上最快的時鐘，速率可達550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數據率達到80 Gbps，并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產品是諸如互聯網核心與邊
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Cypress 65納米 SRAM
傳統型FPGA基本具備高性能、傳輸速度快的特點，因此這些產品都具有DSP(數字信號處理)和高速傳輸I/O接口。它們主要滿足基站、工控、醫療等市場對高速產品的需求。SiliconBlue的產品定位與上述傳統型FPGA不同。我們強調生產針對便攜消費電子市場的低功耗產品。
傳統的FPGA企業在低功耗市場上推出的都是密度非常小的器件，只能滿足非常簡單的邏輯應用，而且即使他們在這方面有系列產品，產品線相對來說仍然不很完整。而SiliconBlue看準這一市場，提供完整的產品線。
市場上一些新興FPG
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FPGA DSP 65納米 SRAM
臺積電24日宣布率業界之先，不但達成28納米64Mb SRAM試產良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)等28納米全系列工藝驗證均完成相同的良率。
臺積電研究發展副總經理孫元成博士表示：“所有三種28納米系列工藝皆已由64Mb SRAM芯片完成良率驗證，是一項傲人的成就。更值得一提的是，此項成果亦展現我們兩項高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)工藝采用gate-last
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臺積電 28納米 SRAM
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [
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