- Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出四款業內容量最大、速度最快的新器件，擴展了其串行SRAM產品組合。這些器件還是業內首批5V工作的產品，廣泛適用于汽車和工業應用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應。通過四路SPI或SQI協議可實現高達80 Mbps的速度，為卸載圖形、數據緩沖、數據記錄、顯示、數學、音頻、視頻及其他數據密集型功能提供所需的近乎瞬時數據傳送及零寫入時間。
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Microchip SRAM
- 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑
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SRAM SoC 低電壓
- 采用FPGA與SRAM的大容量數據存儲的設計,1 前言 針對FPGA中內部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結合來改進設計的方法，并給出了部分VHDL程序。 2 硬件設計 這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV
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存儲 設計 數據 大容量 FPGA SRAM 采用
- 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑
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SRAM SoC 低電壓
- 1.引言由于FPGA 良好的可編程性和優越的性能表現，當前采用FPGA 芯片的嵌入式系統數量呈現迅速增加的趨勢，特別是在需要進行大規模運算的通信領域。目前FPGA 配置數據一般使用基于SRAM 的存儲方式，掉電后數據消失，
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SRAM FPGA 數據存儲 方式
- 同步SRAM的傳統應用領域是搜索引擎，用于實現算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網絡中發揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術的出現，系統設計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網流)、計數器、統計、
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分析 應用 網絡 SRAM
- 在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監視配置
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方法 介紹 加密 FPGA SRAM 工藝 基于
- 嵌入式系統應用中NV SRAM存儲器的應用,傳統方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存儲程序，NVSRAM具有高速存取時間和與SRAM相同的接口，因而可用于存儲程序。本文介紹NVSRAM如何與基于程序和數據存儲的微處理器進行接口，并說明選用NVSRAM與現有的其它非易
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應用 存儲器 SRAM NV 嵌入式 系統
- DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM為8,388,608位、全靜態NV SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電 ...
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DS1265W SRAM
- DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自 ...
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DS1250 4096k SRAM
- 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑
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SRAM SoC 低電壓
- Linux下ColdFire片內SRAM的應用程序優化設計,本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統下配置使用處理器片內SRAM的應用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。1 硬件平臺和軟件架構硬件平臺采
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優化 設計 應用程序 SRAM ColdFire 片內 Linux
- 使用新SRAM工藝實現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計,基于傳統六晶體管(6T)存儲單元的靜態RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現的開發人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
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SoC 存儲器 設計 ASIC 嵌入式 SRAM 工藝 實現 使用
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [
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