面對競爭激烈的半導體市場，SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲器事業持續成長，2015年將面臨三大課題：成功量產22納米DRAM、建構利川M14新廠的量產系統，以及強化三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競爭力。
根據韓媒E-Daily報導，SK海力士社長樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會上表示，2015年下半初期將開始量產22納米DRAM，意即最快在7月SK海力士就會開始量產22納米DRAM。
SK海力士近2年業績屢創新高，主力產
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SK海力士 20納米
三星集團(Samsung Group)和SK集團(SK Group)正迅速拓展半導體事業領域。移動裝置和煉油等主力事業成長停滯不前，半導體事業儼然成為集團金雞母。
據Digital Times報導，SK海力士(SK Hynix)獨家對樂金電子(LG Electronics)供應固態硬碟(SSD)，搭載在2015年1月上市的超輕量Ultrabook Gram 14上。Gram 14上市后較前一代產品銷售量提升約30%，SK海力士的SSD獲樂金熱門機種搭載，對SK海力士相對表現較不出色的NAND F
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三星 SK海力士
SK 海力士 20日舉行股東會，社長樸星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米級DRAM最快可能在今年7月邁入量產，將可在高階產品趕上三星與美光等競爭者。
海力士目前最先進的制程為25與29奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領域，且預估今年下半年，半數PC用記憶體都會以20奈米制程打造。
據科技網站kitguru.net報導，20奈米制程在300mm 晶圓上塞進的晶粒數量較25奈米多三成，可降低每單位IC生產成本，并提高利潤空間。隨著8GB DDR4記憶體時代來臨，
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SK海力士 DRAM
SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術，以及固態硬盤(SSD)等優勢領域。較弱勢的系統芯片方面，將集中發展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。
據ET News報導，日前SK海力士社長樸星昱在創下史上最高業績紀錄之際，反而在組織內部強調危機意識，透過員工電子郵件與公司內部電視等管道，不斷提醒現在不是放心的時刻，應透過強化根本競爭
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SK海力士 DRAM
SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術，以及固態硬碟(SSD)等優勢領域。較弱勢的系統芯片方面，將集中發展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。
據ET News報導，日前SK海力士社長樸星昱在創下史上最高業績紀錄之際，反而在組織內部強調危機意識，透過員工電子郵件與公司內部電視等管道，不斷提醒現在不是放心的時刻，應透過強化根本競爭
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SK海力士 CMOS
全球存儲器市場上，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)三強鼎立，讓價格趨于穩定。而講究低功率技術與微細化制程的復合解決方案商品，則帶動存儲器價格進一步提升。專家表示，接下來將迎接高價、高品質時代。
據韓媒Bridgenews報導，日本、臺灣、韓國等半導體業者，從2007~2012年間持續存儲器的削價競爭，即便存儲器價格慘跌仍不斷提高產量。過度競爭的結果，讓德國DRAM業者奇夢達(Qimonda)在2009年破產，2012年日本爾
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存儲器 SK海力士
SK海力士(SK Hynix)將PCRAM(Phase-Change Random Access Memory)等次世代存儲器芯片列為新成長動能，2015年會先決定要將次世代產品應用在何IT裝置上，以確定發展方向。
據南韓每日經濟報導，SK海力士表示將PCRAM、STT-MRAM、ReRAM等列為次世代半導體。2015年將先明確訂定產品制造方向，再著手研發合適的制程技術。
所謂的次世代半導體，是指DRAM、NAND Flash所代表的存儲器芯片，在功率、容量等規格升級的半導體產品。SK海力
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SK海力士 存儲器
三星和SK海力士為爭奪新一代iPhone的DRAM訂單使盡渾身解數，憑借各自獨有優勢均占領一席之地。
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三星 SK海力士 DRAM
2011年底，SK集團(SK Group)會長崔泰源決定收購SK海力士(SK Hynix)，成為SK集團的核心關系企業。半導體大廠SK海力士社長樸星昱2013年初接手社長一職后，當年就讓SK海力士轉虧為盈，創造獲利。
2014年SK海力士刷新1983年企業成立以來最高業績紀錄，營收和營業利益各突破17兆韓元(約154.8億美元)、5兆韓元。2015年投資計劃規模約5兆韓元，為有史以來新高。
然而，即使SK海力士創造出亮眼的成績，樸星昱對內仍然呼吁應抱持危機意識，2015年也以“
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SK海力士 DRAM
SK海力士要在半導體競爭中存活，必須確保不遜色于三星和美光的技術領導力。SK海力士高層亦表示，若沒有技術領導力，就無法具備基本的競爭力。
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SK海力士(SK hynix)追上記憶體龍頭三星電子(Samsung Electronics)進度，9日宣布量產LPDDR 4，已經供貨給LG電子(LG Electronics)的旗艦智慧機。
韓聯社9日報導，SK海力士表示，該公司的8 gigabit LPDDR 4已經用于LG 1月底開賣的曲型智慧機LG G Flex 2。LPDDR 4采用20奈米制程，數據處理速度為前代LPDDR 3的兩倍，能源效益也節省30%。
三星去年12月量產LPDDR 4，SK海力士只用兩個月就趕上三星，代表
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受惠于2014年DRAM市場好轉，南韓兩大半導體廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也創下了亮眼的成績。兩者相較，三星半導體部門雖然在營收、營利規模上贏過SK海力士，不過SK海力士營利率表現則是優于三星。
韓媒Money Today報導，三星半導體部門從2014年第3季開始，連2季取代了負責主力智能型手機事業的IM(Information technology & Mobile Communications)部門，拿下三星獲利金雞母頭銜。S
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三星 SK海力士 DRAM
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷認為，在需求面不弱、新一代產品DDR4與LPDDR4比重增加價格提升下，2015年DRAM整體跌幅有限，從各DRAM廠的競爭態勢來看，三星在各領域中制程轉進進度最快，成本下降比其他競爭廠商明顯，臺系廠商部分，南亞科(2408-TW)轉型為利基型記憶體公司，仍將有不錯的獲利空間。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報價顯示，1月標準型記憶體價格大部分還在議定當中，目前看來月跌幅不超過6%
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DRAM 南亞科 SK海力士
韓國業界高層向韓國時報透露，今年新訂單暢旺，芯片業者可望荷包滿滿，然而SK海力士制程發展較慢，若追上三星，今年下半或許會有新一波“懦夫博弈”(game of chicken)，意味業者可能會流血競爭，擴產搶市占。
相關人士說，三星電子添購設備，生產更多服務器和計算解決方案用的DRAM，并擴增第17線廠產能。據傳三星接獲大單，會增產企業服務器用的20納米內存。業界高層說，不是所有內存商都能開心度過今年，三星和SK海力士的制程技術拉大至兩年，可能會有新一輪的生存大戰。
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SK海力士 美光 DRAM
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