sk海力士 文章 最新資訊
SK海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設(shè)為 Alius，已準備進入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。 半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK 海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設(shè)為 Alius，已準備進入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。 半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士、希捷聯(lián)盟成立合資公司 抗衡三星、英特爾
- 隨著2017年固態(tài)硬碟(SSD)占NAND Flash應(yīng)用比重將挑戰(zhàn)40%，全球儲存領(lǐng)域異業(yè)整合風潮將邁向另一個高峰，繼硬碟龍頭廠西部數(shù)據(jù)(Western Digital;WD)購并NAND Flash存儲器大廠閃迪(SanDisk)，近期傳出SK海力士(SK Hynix)將與希捷(Seagate)策略聯(lián)盟成立合資公司，專攻企業(yè)云端SSD市場，成為握有HDD和SSD兩大儲存產(chǎn)品的新陣營，挑戰(zhàn)既有霸主三星電子(Samsung Electronics)及英特爾(Intel)，未來云端SSD可望是NAND
- 關(guān)鍵字： SK海力士 希捷
SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認證，最快將從11月底正式啟動量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進入量產(chǎn)的業(yè)者。
- 關(guān)鍵字： SK海力士 NAND
SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士全力發(fā)展CIS、PMIC及DDIC事業(yè)
- 傳聞2017年SK海力士(SK Hynix)將在利川12吋晶圓廠(M10)量產(chǎn)1,300萬畫素CMOS影像感測器(CIS)，并減少清州8吋晶圓廠(M8) 的低畫素CIS產(chǎn)量，M8廠空出的產(chǎn)能將進行代工生產(chǎn)顯示器驅(qū)動IC(DDIC)、電源管理IC(PMIC)等系統(tǒng)半導體，全力發(fā)展非存儲器半導體事業(yè)。 據(jù)韓媒ET News報導，SK海力士的非存儲器半導體事業(yè)發(fā)展方向日前定案，已進入執(zhí)行階段;SK海力士并以45億韓元(約397萬美元)向子公司Silicon File取得相關(guān)資產(chǎn)設(shè)備。Silicon F
- 關(guān)鍵字： SK海力士 CIS
SK海力士與美史丹佛大學攜手研發(fā)類人腦半導體元件
- SK海力士(SK Hynix)與美國史丹佛大學(Stanford University)以及相關(guān)設(shè)備及材料業(yè)者合作，將共同研發(fā)結(jié)構(gòu)類似人類腦神經(jīng)構(gòu)造的新半導體元件，期盼能提升巨量資料(Big Data)的運算速度，加速人工智能(AI)時代來臨。 據(jù)韓國經(jīng)濟報導，日前SK海力士與美國史丹佛大學簽約，將合作研發(fā)利用鐵電材料(Ferroelectrics)的人工神經(jīng)網(wǎng)路半導體元件(Artificial Neural Network Devices)。這項研究計劃的參與單位還包括半導體設(shè)備業(yè)者科林研發(fā)(
- 關(guān)鍵字： SK海力士 半導體
存儲器市場還能熱多久？SK海力士年K線飆35%、還將續(xù)漲20%？
- 據(jù)海外媒體報道，存儲器價格超夯，今年至今韓廠SK 海力士 (SK Hynix )已經(jīng)飆升35%，部分外資相當樂觀，預(yù)言還有20%上行空間。 巴倫(Barronˋs)14日報導，DRAM價格上漲，帶動SK海力士一路攀高。DRAMeXchange預(yù)估，第三季DRAM價格將季增9%，第四季價格可能會再飆將近30%。有鑒于此，摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估計，SK海力士股價可望續(xù)漲20%。 大摩報告稱，時序邁向Q4，DRAM和NAND價格表現(xiàn)都優(yōu)于預(yù)期，也勝過SK海力士的預(yù)估。DRAM投
- 關(guān)鍵字： SK海力士 存儲器
居全球第六大 SK海力士積極擴展CIS事業(yè)
- 據(jù)海外媒體報道，SK海力士(SK Hynix)計劃在韓國利川12吋晶圓廠M10上投產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)一事備受外界關(guān)注。分析指出，SK海力士將能強化自家CIS事業(yè)競爭力，并有望在目前正在更迭的市場版圖上取得甜頭。 韓媒ETNews報導指出，SK海力士此舉代表著，想要正式挑戰(zhàn)非存儲器市場的企圖心。過去這段期間，SK海力士不斷苦惱著，在利川12吋新廠M14啟動后，該如何使用M10廠。因為如果將M10 DRAM生產(chǎn)量移轉(zhuǎn)至M14，M10里的產(chǎn)線將會閑置。雖然SK海力士曾經(jīng)表示過，M10之后可
- 關(guān)鍵字： SK海力士 CIS
sk海力士介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sk海力士!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sk海力士的理解，并與今后在此搜索sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sk海力士的理解，并與今后在此搜索sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sk海力士專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473