SK海力士沖刺先進制程,20nm級DRAM最快七月量產
SK 海力士 20日舉行股東會,社長樸星昱(Park Sung-wook)宣誓,20 奈米級DRAM最快可能在今年7月邁入量產,將可在高階產品趕上三星與美光等競爭者。
本文引用地址:http://www.104case.com/article/271461.htm海力士目前最先進的制程為25與29奈米,而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領域,且預估今年下半年,半數PC用記憶體都會以20奈米制程打造。
據科技網站kitguru.net報導,20奈米制程在300mm 晶圓上塞進的晶粒數量較25奈米多三成,可降低每單位IC生產成本,并提高利潤空間。隨著8GB DDR4記憶體時代來臨,20奈米制程被認為是記憶體廠決勝的關鍵。
除了 ??三星之外,美光去年第四季也已開始試生產 20奈米記憶體,預計今年進入量產,但初期產量將相當有限,預估2015年底,每月會有8萬片晶圓轉進20奈米制程。
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