SK海力士著手研發次世代存儲器

　　SK海力士(SK Hynix)將PCRAM(Phase-Change Random Access Memory)等次世代存儲器芯片列為新成長動能，2015年會先決定要將次世代產品應用在何IT裝置上，以確定發展方向。

　　據南韓每日經濟報導，SK海力士表示將PCRAM、STT-MRAM、ReRAM等列為次世代半導體。2015年將先明確訂定產品制造方向，再著手研發合適的制程技術。

　　所謂的次世代半導體，是指DRAM、NAND Flash所代表的存儲器芯片，在功率、容量等規格升級的半導體產品。SK海力士與IBM、東芝(Toshiba)等攜手合作，以2~3年內商用化為目標進行研發。

　　與NAND Flash相比，PCRAM在一般資料讀寫速度方面快100倍以上，耐用性更提升1,000倍，SK海力士正與IBM合作進行研發。

　　SK海力士的STT-MRAM研發伙伴為日系大廠東芝。STT-MRAM是能以超高速、低功率驅動，即使不供應電力，也能保存資訊的非揮發性存儲器。此外，STT-MRAM可采用10納米以下制程。

　　SK海力士與惠普(HP)合作研發的ReRAM亦屬非揮發性存儲器，可應用在要求高速驅動、大容量、低功率的裝置上。

　　SK海力士迅速對次世代半導體展開因應，是為了掌握存儲器主導權。近來同為韓系半導體大廠的三星電子(Samsung Electronics)已確保10納米制程技術，鞏固技術領導力，而SK海力士的主力制程仍在20納米級。

　　南韓業界認為，在難以縮短與三星間制程技術差距的情況下，SK海力士改以差別化尋找生存之道。而差別化的核心就在于PCRAM等次世代半導體。