三星電子自打嘴巴，先前口口聲聲說沒必要擴產破壞市場，不料近來卻一再傳出擴產DRAM消息!繼高盛之后，韓媒也爆料稱市場可能會掀起新一波廝殺血戰，報導稱SK 海力士 (SK Hynix )和美光(Micron Technology)的微縮制程不夠先進，可能會遭受重創。
韓國時報(Korea Times)14日報導，南韓業界高層向該報透露，今年新訂單暢旺，晶片業者可望荷包滿滿，然而SK海力士制程發展較慢，若追上三星，今年下半或許會有新一波「懦夫博弈」(game of chicken)，意味業者可能會流
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美國市場調查公司IHS于2014年12月22日發布調查報告稱，預計2014年全球半導體銷售額將比上年增長9.4%，達到3532億美元，實現自2010年以來的最高增長率。IHS副總裁兼首席分析師Dale Ford稱：“2014年的市場是最近幾年里最為健全的。2013年的市場擴大(增長率6.4%)主要得益于存儲器領域的增長，而2014年整體表現都很出色，在年末假日季，各個領域的供應商都能因此而受益。”
IHS將半導體市場分為28個小領域進行了調查。在2013年，這28個領域中
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據《華爾街日報》網絡版報道，市場調研公司Gartner發布的初步數據顯示，隨著傳統PC產能的回升，2014年全球芯片銷售額同比增長7.9%。內存芯片制造商引領了這輪增長。
數據顯示，去年全球芯片銷售額增長至3398億美元，前25大半導體公司占據了總銷售額的72.1%，高于2013年的69.7%。
英特爾繼續保持其第一大半導體公司的地位，2014年芯片營收預計在508.4億美元，同比增長4.6%，在經歷了兩年的下滑后重新恢復增長。三星電子排在第二，預計營收在352.8億美元，同比增長10%。
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韓系半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持續擴大尖端DRAM和NAND Flash產線，2014年受到半導體市場榮景帶動對產線投資而荷包滿滿的設備業者，預期2015年也將迎來亮眼的業績。
據ET News報導，三星和SK海力士2015年可望為擴充DRAM、NAND Flash、系統芯片產線而執行投資。因轉換微細制程，導致生產量減少，且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。
三星17產線將于201
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三星電子和世界頂級的內存芯片制造商SK海力士計劃在2015年投資19萬億韓元用于研發芯片，此次投資計劃高于去年17.7萬億韓元的芯片投資資金。據美國一位對沖基金負責人表示，三星電子和SK海力士希望通過此次19萬億韓元的投資，改善產品結構，適應市場狀況，調整市場的供求平衡。
據悉，一些對沖基金和市場投資機構都紛紛看好三星電子和SK海力士的未來發展。按照投資計劃，三星電子計劃投資3.5萬億韓元，SK海力士計劃投資5.5萬億韓元。三星一位官員表示，三星的銷量增長將在2015年降至最低。三星不希望在其芯
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固態硬碟(SSD)戰火正熱，持續成為2015年產業焦點，NAND Flash控制芯片業者為了布局上游半導體大廠，使出渾身解數綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。
慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內嵌式存儲器eMMC業務外，有機會延伸至SSD產品線上，2015年更是關鍵年，慧榮內部極度重視SSD產品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標，看好公司營運
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全球存儲器產業恐將再爆震撼彈，面對三星電子(SamsungElectronics)和SK海力士在eMCP市場搶盡風頭，東芝(Toshiba)為取得穩定的DRAM貨源將大舉反攻，業界傳出其向南亞科提出10億美元的策略聯盟投資案，將再度開啟臺、日存儲器結盟新里程碑，合作案是否會成局，2015年第1季底前可望確定。不過，南亞科未證實該項消息。
全球存儲器產業甫經歷大洗牌，全球三大DRAM廠版圖底定，由于三星、SK海力士、美光(Micron)均擁有PCDRAM、MobileRAM及NANDFlash三大
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隨三星宣布20奈米制程正式產出LPDDR 4 DRAM，SK海力士及華亞科(3474)也預定第2季導入20奈米量產，讓今年DRAM產業主流技術，將正式推進至20奈米世代。
不過，20奈米需要投入龐大的資本支出，各DRAM考量必須在獲利的基礎上進行擴充，也讓今年各家20奈米制程推進趨于緩慢。集邦科技出具今年DRAM產業趨勢報告，預告今年DRAM產業持續維持寡占格局，支持DRAM持穩不墜，今年各家DRAM廠仍處于全面獲利的一年。
集邦預估，今年DARM產值達541億元，年增16%。
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東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發下一代半導體制程技術，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業決定集中火力爭取半導體產業未來主導權，取代相互耗損的專利訴訟。
據ET News報導，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關系。2007年締結專利授權合約，并自2011年開始共同開發下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導體技術外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規模的民事賠償，雙方關系因此破裂。
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蘋果(Apple)預計2015年推出的新一代iPhone和iPad，傳出搭載的DRAM容量將較目前產品倍增，占蘋果DRAM供應量7成以上比重的三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望擴大供貨量。
據南韓經濟日報報導，在Mobile DRAM市場上，三星和SK海力士的市占率約達75%。近來使用智能型手機的人口增加，穿戴式裝置市場也逐漸擴大，讓DRAM需求扶搖直上。
據南韓證券業者推估，三星和SK海力士2014年DRAM事業獲利各約6兆韓元(約5
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TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新調查顯示，全球行動式記憶體總營收在 2014年第三季達34.6億美元，季成長6%，占DRAM總產值29%。三星半導體(Samsung)不意外仍穩居第三季行動式記憶體龍頭，而且市占首度突破50%，儼然成為一方霸主，讓位居二、三名的SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的市占率差距再度拉大。
雖全球DRAM產能依舊處于微幅吃緊狀態，導致第三季行動式記憶體價格小幅度下滑，但因位元產出增加，全球行動式記憶體總產值仍向上提升
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三星、SK海力士及美光三大DRAM廠明年制程進入20納米世代，盡管市場憂心恐造成供給大增、壓抑價格走勢，但DRAM業者強調，制程微縮并非一、兩天可以完成，期間將遭遇技術瓶頸與整量產能縮減等問題，因此盡管資本支出龐大，明年DRAM價格仍可望持穩，業者仍會穩定獲利。
集邦協理吳雅婷表示，三星及SK海力士在制程推進至25納米期間，都吃足苦頭，預料美光借重華亞科從30納米制程直接切入20納米制程，同樣也將面臨極大的挑戰。三星首次進入28納米制程時，因良率無法有效提升，黯然宣告中止，部分產能轉回35納米，
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隨著DRAM三大陣營的確立，今年DRAM各大陣營的獲利與營收，都可說是連連報捷，這也使得在先進制程的投入也更加積極。但是否又會再次面臨價格下跌的壓力?答案似乎是有可能的。
根據TrendForce表示，今年以來DRAM市場一直呈現供貨吃緊、價格持續走揚的市況來規劃未來需求，DRAM廠紛紛決定自2014年第四季開始增加產能。按照DRAM廠現有的規劃，2015年制程微縮與新增產能貢獻產出年增率將逼近30%，現有的DRAM產業的寡占架構將面臨重大挑戰，若明年總體經濟狀況不如預期，此舉恐怕導致DRA
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三星電子和SK海力士在今年第2季共占有全球DRAM市場份額68%，遙遙領先美國企業占有的25.7%，和臺灣業者的6.3%。
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2014年上半SK海力士(SKHynix)業績告捷，在次世代存儲器技術競爭中也占據優勢，未來可望帶動版圖變化。
SK海力士的次世代存儲器獲全球系統芯片業者搭載在2016年以后上市產品，并進行性能測試，未來將有機會超越三星電子(SamsungElectronics)和美國美光(Micron)等競爭對手，在市場競爭中也將居優勢。
據韓國每日經濟報導，SK海力士的次世代超高速存儲器(HBM)將優先供應給AMD、NVIDIA等全球性系統芯片業者，搭載于次世代產品中進行測試。
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