廠商爭相投資 3D NAND Flash前景不妙？

　　廠商爭相投資，3D NAND Flash前景不妙?據傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產能也將于明年下半全面開出，屆時3D NAND可能會從供不應求、呈現供給過剩的狀況。

　　BusinessKorea 6日報道，NAND需求爆發，據悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月，改在明年三、四月開始生產第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城(Hwaseong)廠，屆時三星3D NAND產能將從當前水準提高兩倍、至32萬片。

　　SK海力士也準備生產3D NAND，仁川廠M14線無塵室正在裝設儀器，估計第二代36層3D NAND可在今年第二季出貨、第三季量產。第四季將加碼投資第三代48層3D NAND，估計未來3D NAND將占SK海力士產出的一半。

　　與此同時，大陸廠商武漢新芯也打算砸下巨資打造新廠，該公司與美商Spansion共同研發3D NAND。日廠東芝則與Western Digital(西部數據)攜手，準備量產3D NAND。

　　韓媒etnews 4日報道，業界消息稱，NAND Flash價格一路向上，三星決定平澤廠將提前三個月投產。目前平澤廠的建筑工事進入尾聲，正修筑工廠外墻，預料12月完工，緊接著要開始設備投資，購買無塵室設施和晶圓生產儀器等。

　　多名設備業人士表示，三星若想在2017年初裝設備儀器，現在就得下單，據稱三星不久后就會開始發出訂單。外界預料，平澤廠將名為18代線，明年第二季季初或季中開始營運，負責生產第四代64層3D NAND Flash。第一階段每月產量為4~5萬片12寸晶圓，約為18代線總產量的1/4(總產量為20萬片)。估計第一階段投資金額為27.2~31.7億美元(181.4億~211.4億人民幣)。

　　韓國媒體朝鮮日報日文版報道，三星8月11日宣布，第4代V-NAND Flash(3D NAND)產品將在2016年Q4(10-12月)開賣，該款產品將采64層堆疊。三星指出，借由采用64層堆疊技術，每片晶圓的儲存容量可較現行技術提高30%、能有效改善成本競爭力。

　　三星為全球第一家量產3D NAND的廠商，于2013年研發出堆疊24層的3D NAND之后，就逐步將技術升級至32層、48層，此次則進一步提升至64層。

　　東芝7月27日發布新聞稿宣布，已研發出堆疊64層的3D NAND制程技術，并自當日起領先全球同業開始進行樣品出貨，且預計將透過甫于7月完工的四日市工廠“新第2廠房”進行生產。