據媒體報道,根據亞洲最大芯片現貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數據,2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規模達到48.9億美元,環比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭,市場份額達到了34.6%。
集邦科技提供的數據顯示,NAND閃存出貨環比增長了大約5%,而平均銷售價格則環比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。
集邦科技指出,三星電子
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海力士 NAND
韓國半導體大廠海力士(Hynix)為提升近期產能利用率較低的晶圓工廠的產能,近期已開始大量接受其他韓國業者的晶圓代工訂單,目前海力士的代工業者已達7~8家。
根據韓國IT業者表示,海力士位在忠清北道清州的M8工廠,以8吋晶圓為基準,目前接獲的代工訂單可達到單月3萬片,M8工廠的最大生產量為單月8萬片,亦即代工訂單已經達到最大生產量的40%。
韓國業界人士說明,海力士接到的代工訂單原本只有2家廠商,透過積極開發客戶,現在已經增加到7~8家,海力士的相關事業已經比過去安全許多。海力士M8工廠除
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海力士 晶圓
SK電訊今日宣布,將以3.4267萬億韓元(約30億美元)收購海力士半導體21.1%的股權。本次收購交易規模創韓國科技界近十年新高。
SK電訊與海力士半導體公司及債券團簽署股權收購合同,決定收購海力士半導體債券團擁有的6.4%股份和海力士公司以第三方配股方式發行新股的14.7%,收購交易總額為3.4267萬億韓元。
SK電訊發表聲明稱,將以每股2.3萬韓元收購海力士1.0185億股新股,并以每股2.45萬韓元收購4425萬股現有股票。海力士股價今收于2.23萬韓元,SK電訊的收購價格至少溢
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海力士 存儲芯片
據IHS iSuppli公司的DRAM研究報告,許多DRAM供應商前景危險,面臨債務升高、2013年前銷售額下降以及PC需求增長減弱的威脅。隨著消費者的興趣轉向更加流行的智能電話和平板電腦,PC需求日益衰落。
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海力士 DRAM
SK TIC(Technology Innovation Company,技術創新公司)和SK創新(兩者隸屬于總部位于漢城的韓國第三大集團——SK集團,業務范圍包括能源、化工和電信)已同意與HelioVolt合作,致力于薄膜電池技術的提高和全球市場的擴展。HelioVolt公司總部美國德克薩斯州奧斯汀,主要生產銅銦鎵硒(CIGS)薄膜光伏組件,市場為商業屋頂和公用設施項目。
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SK 光伏
根據熟悉內情的消息人士告訴路透,韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)控股股權出售計畫似乎出現意外的阻礙,以債轉股的股東尚未就收購架構達成一致.
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海力士 半導體
據媒體報道 日前,韓國頂級煉油商SK集團旗下的SK創新公司與中國內地和臺灣能源公司簽訂合作協定,開發新型太陽能儲能系統。
SK創新與中國皇明太陽能集團和臺灣塑膠工業股份有限公司簽訂合同,聯合為中國西北部城市德州開發一個太陽能儲能系統。
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SK 太陽能
韓半導體大廠海力士(Hynix)21日上午發布2011年第2季財報。海力士第2季營收2.76兆韓元(約26.15億美元),營業利益4,470億韓元(約4.24億美元),與2010年同期相比營收減少16%、營業利益減少56%,然與2011年第1季相比,雖然營收減少1%,但營業利益則增加了38%。
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海力士 DRAM
韓半導體大廠海力士(Hynix) 21日上午發布2011年第2季財報。海力士第2季營收2.76兆韓元(約26.15億美元),營業利益4,470億韓元(約4.24億美元),與 2010年同期相比營收減少16%、營業利益減少56%,然與2011年第1季相比,雖然營收減少1%,但營業利益則增加了38%。
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海力士 DRAM
據韓國媒體報導,直到7月5日還在考慮是否購并海力士半導體(Hynix)的現代重工業(Hyundai Heavy Industries),最終決定不提出意向申請書(LOI),然現又傳出韓國SK集團將要推動購并海力士。由于SK集團主要經營通信及煉油事業,已感受到事業成長極限的SK集團,選擇半導體作為集團新成長動力,架構通信服務、煉油和半導體3大事業主軸。若SK集團確定投標,海力士的股權拋售局面也將出現反轉。
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SK Hynix 半導體
海力士半導體和美光律師在法院上表示,Rambus在內存芯片上伎倆骯臟,自己在技術上失敗卻怪罪于競爭對手。本周二,海力士公開一份聲明,代表律師肯尼斯·尼斯利(Kenneth Nissly)說Rambus RDRAM內存技術在設計和技術上存在問題,盡管在早期得到了英特爾的支持,卻未能廣泛被采納。
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海力士 RDRAM
韓國半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產品群,近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產量,以26納米制程產品比重逾50%為最大。
海力士相關人員表示,26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26納米制程產品將逐漸取代32納米制程產品,成為海力士主力產品。
NAND Flash為非揮發性存儲器芯片,即使中斷供電也能儲存信息,是智能型手機、平板計算機等行動
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海力士 26納米
南韓半導體大廠海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產品群,近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產量,以26納米制程產品比重逾50%為最大。
海力士相關人員表示,26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26納米制程產品將逐漸取代32納米制程產品,成為海力士主力產品。
NAND Flash為非揮發性內存芯片,即使中斷供電也能儲存信息,是智能型手機、平板計算機等行動裝
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海力士 NAND
6月1日消息,新能源汽車在全球的火熱程度也讓電池業著實火了一把,由于電池是電動汽車軟肋,使得企業都把電池的研發放在首位,欲先攻破電池難關。
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SK 鋰離子電池
據韓國電子新聞報導,韓國半導體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發生氣體外泄事故。19日晚間約10點50分,在維修DRAM半導體產線蒸鍍設備過程中,海力士合作廠2位員工因操作不當,使設備內殘留的液化氣體外泄。
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海力士 蒸鍍設備
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