據羅姆中國營業本部村井美裕介紹，面對未來的50年，羅姆提出了“相乘戰略”、“功率器件戰略”、“LED戰略”和“傳感器戰略”四大企業戰略。
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羅姆 SiC LED
富士電機計劃生產采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產線，未來預計在2012年春季開始量產。
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富士電機 SiC
引言 隨著現代技術的發展， 功率放大器已成為無線通信系統中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產生技術已成為現代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
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設計 分析 模塊 功率放大器 寬帶 SiC
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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SiC 寬帶功率放大器 模塊設計 放大電路
安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車（EV）行駛系統（圖1）。該系統由行駛馬達及馬達的驅動部構成。通過...
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安川電機 EV行駛系統 SiC
在由Xilinx主辦的會議上市調公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統的ASIC市場將只有低增長的預測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯結等日益增長的需求推動下將有大的發展。
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Xilinx Semico SIC
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產品系列不僅延續了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。
獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術大大降低了內部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
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英飛凌 肖特基二極管 SiC
隨綠色經濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。
據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。
在這種情況下，性能遠優于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環境
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豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
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日產汽車開發出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產已經把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上，并開始行駛實驗。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC，今后有望實現逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。
SiC元件作為具有優異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數左右，理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導通電阻小，因此可
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人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰。本文介紹采用IMEC的SiC技術，它的開發重點是進一步縮小集成后的EEG系統體積以及將低功耗處理技術、無線通信技術和能量提取技術整合起來，在已有系統上增加一個帶太陽能電池和能量存儲電路的額外堆疊層，這樣就能構成一套完全獨立的生物電信號采集方案。
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豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會第一天的主題演講中，談到了對應用于車載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動力車等所采用的馬達控制用逆變器中，“希望業界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體，將有助于逆變器大幅實現小型化及低成本化。
在汽車領域的應用是許多SiC半導體廠商瞄準的目標，但多數看法認為，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在產業設備以及民用設備上配備，在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計劃采用SiC半導體的日期，但表示“到本世紀10年代前
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京都大學、東京電子、羅姆等宣布，使用“量產型SiC（碳化硅）外延膜生長試制裝置”，確立對SiC晶圓進行大批量統一處理的技術已經有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導熱系數等特征的功率半導體朝著實用化邁出了一大步。目前，三家已經開始使用該裝置進行功率半導體的試制，面向混合動力車的馬達控制用半導體等環境惡劣但需要高可靠度的用途，“各廠商供應工程樣品，并獲得了好評”。 此次開發的是SiC外延生長薄膜的量產技術。
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sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能.
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