SiC企業不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導體已經不再特別。”這是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。
那么，在使用功率半導體的制造現場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類產品已逐漸由
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SiC GaN
GT Advanced Technologies(納斯達克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產爐。 SiClone100采用升華生長技術，能生產出高品質的半導體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經擁有熱場、合格的晶體塊生產配方及正準備開始量產的客戶。
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GT SiC 晶體
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
SiC集成技術在生物電信號采集設計, 人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何將他們的體
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SiC 集成技術 生物電信號采集
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)日前宣布，推出新一代工業溫度碳化硅(SiC)標準功率模塊。新產品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關電源、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業應用。該功率模塊系列還擴展了溫度范圍，以滿足下一代功率轉換系統對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。
SiC技術比硅材料提供更高的擊穿電場強度和更好的熱傳導性
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Microsemi SiC
進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。
SiC早在1842年就被發現了，但直到1955年，才有生長高品質碳化硅的方法出現;到了1987年，商業化生產的SiC進入市場;進入21世紀后，SiC的商業應用才算全面鋪開。相對于Si，SiC的優點很多：有10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
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ROHM SiC 半導體
為努力實現更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規要求以及系統正常運行時間要求，工業和功率電子設計人員在進行設計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業電機驅動器、高密度電源、汽車以及井下作業等領域，要想增強這些關鍵設計性能，設計的復雜程度就會提高，同時還會導致總體系統成本提高。
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飛兆 SiC 晶體管
為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節電與提高電壓的轉換效率是當務之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術貢獻于節電，通過功率元器件提升轉換效率。
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羅姆 變壓器 SiC
進入21世紀，開關電源技術將會有更大的發展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業和學術各界努...
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開關電源 轉換器 碳化硅（SiC）
在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產品系列增強了英飛凌在SiC(碳化硅)產品市場的領先地位。這個革命性的新產品系列，立足于英飛凌在SiC技術開發以及高質量、大批量生產方面十多年的豐富經驗。
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英飛凌 SiC JFET
日本京都大學工學研究系電子工學專業教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十數kV的半導體功率元件，但超過20kV的尚為首次，“是半導體元件中的世界最高值”(木本)。
該二極管的設想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網電壓為6.6kV，因此要求耐壓達到20kV。據稱目前是使用3～4個數kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管，一個即可滿足要求。由此，轉換器及冷卻器等便可實現
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SIC 二極管 半導體
??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國際產學連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開，來自清華的教授跟與會者分享了與羅姆合作以來在某些領域取得的成果以及一些教學科研經驗。會后，羅姆株式會社常務董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪，我們了解到了更多羅姆和清華在產學研方面的相關合作。
以“羅姆”命名清華樓，并無排他性
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羅姆 SiC
與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
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SiC 講座 功率元件 氧化鎵
基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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氧化鎵 SiC 功率元件 MOSFET LED
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能.
Si [
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