使用單光子作為量子位的載體可以在量子數據傳輸期間實現可靠的安全性。研究人員發現，目前可以通過某現有材料建立一個系統，能在常溫條件下可靠地產生單光子。
來自莫斯科物理技術學院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導體材料的單光子發射二極管，每秒可以發射多達數十億個光子。研究人員進一步表明，SiC色心的電致發光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數據傳輸速率提高到1Gbps以上。
量子密碼術與傳統的加密算法不同，它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下，是無法
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SiC 量子通信
相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設計，達到減少模組、系統周邊的零組件及冷卻系統的體積。根據估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。
此外，除了輕化車輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，兩者對于電動車續航力的提升有相當的幫助。因此，
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SiC GaN
全球知名半導體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"。 “慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領先的電子行業展覽，還是行業內最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業設備”為軸，為大家呈現包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設備”在內的5大解決方案展區，囊括了業界領先的強大產品陣容。另外，為此
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ROHM SiC
慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數萬名電子行業的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯網、汽車、微波通信、功率電子、工業控制及自動化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產品及方案亮相。 憑借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業物聯網、無線充電與快充、工業4.0、人工智能、樓宇照明、智能網聯汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
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SiC GaN
據麥姆斯咨詢報道，一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導體器件在關鍵行業的應用，化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網絡協議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現實和虛擬現實(AR/VR)。這些應用正在推動3D傳感的應用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發展背后的關鍵器件都是由化合物半導體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。
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5G SiC
Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性，同時減少創建額外原型的需求，為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
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ADI SiC
推動高能效創新的安森美半導體?(ON?Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產品，擴展了SiC二極管產品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術提供更高的開關性能、更低的功率損耗，并輕松實現器件并聯。 安森美半導體最新發布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩定性、高浪涌容
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安森美 SiC
納微 (Navitas)半導體宣布其現場應用及技術營銷總監黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術論壇”上發表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業內首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商，該活動為具有創新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業知識。 黃萬年
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納微 SiC
近年來，出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮，對汽車的環保性能要求越來越高。世界各國均已制定了新能源汽車的開發和引進計劃，未來新能源汽車的普及將會進一步加速。其中，中國新能源汽車市場發展勢頭最為迅猛。隨著中國新能源汽車市場的迅速壯大和新能源汽車技術的快速發展，越來越多的中國新能源汽車品牌開始走出國門，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車市場。 作為全球知名半導體制造商， ROHM一直以來都將汽車市場為主要目標領域，通過開發并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車電子化需求的創新型高
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ROHM SiC
隨著技術的不斷更新換代，以及電動汽車市場的巨大助力，SiC產品有望迎來快速增長期。
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電動汽車 SiC
近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。
通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質量和成品率的關鍵技術有很高的
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半導體 SiC
摘要 本文評測了主開關采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統具更高的能效，對市場上現有系統設計影響較大。 前言 市場對開關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。 寬帶隙半導體器件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業規劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯網自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創新研究院“美國電力創新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創新中心。
圖1：整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
近年來，SiC(碳化硅)因其優異的節能效果和對產品小型化、輕量化的貢獻，在新能源汽車、城市基礎設施、環境/能源，以及工業設備領域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產品相比，SiC產品憑借更低的開關損耗，可實現設備中冷卻機構的小型化。同時，通過更高頻率的開關動作，還可實現線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見，SiC是可以同時實現設備節能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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ROHM SiC 汽車
在經過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
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SiC Cree
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境，并具有極好的抗輻射性能.
Si [
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