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羅姆即將舉辦2018第五屆“ ROHM技術(shù)研討會”

　　全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術(shù)研討會”，屆時將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門、北京、惠州、合肥等全國5大城市，面向青年工程師分享先進的電源設(shè)計和應(yīng)用技術(shù)。日前，首站——蘇州站(9月6日)的免費報名通道已開啟!　　一年一度的“ROHM技術(shù)研討會”由羅姆主辦，自2014年起至今已成功舉辦了四屆，活動足跡遍及全國各地，是羅姆與業(yè)界友人交流互動、分享經(jīng)驗的良好平臺。今年，根據(jù)各個城市不同的行業(yè)發(fā)展情況，羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來精
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SiC元件2023年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達14億美元

　　市場研究單位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具高度潛力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預(yù)測到2023年SiC功率半導體市場規(guī)模預(yù)計將達14億美元，2016年至2023年間的復合成長率(CAGR)為28%，2020~2022年CAGR將進一步提升至40%。　　包括xEV、xEV充電基
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安森美半導體獲UAES頒發(fā)“年度杰出合作供應(yīng)商獎”

　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)，宣布獲聯(lián)合汽車電子系統(tǒng)有限公司(United Automotive Electronic Systems，簡稱UAES)頒發(fā)“2017年度杰出合作供應(yīng)商獎”。安森美半導體是UAES最近的供應(yīng)商大會上3家獲獎的半導體供應(yīng)商之一。　　該獎?wù)J同安森美半導體寬廣的產(chǎn)品陣容的價值，這些產(chǎn)品用于UAES領(lǐng)先行業(yè)的先進汽車系統(tǒng)方案。安森美半導體能提供大量關(guān)鍵器件用于從動力總成到汽車功能電子化、從傳統(tǒng)模塊如發(fā)動機控制單元(ECU)和點火系統(tǒng)到最新的牽引
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快速充電用AC/DC電源設(shè)計

提出了一種新型快速充電策略，并設(shè)計和制作了可滿足12 V/40 Ah鋰電池組快速充電需求的高功率密度AC/DC電源，介紹了AC/DC電源拓撲結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵元件選型及參數(shù)計算。快速充電器輸入PF大于0.98，額定工作點效率大于90%。可實現(xiàn)12.8 V/40 Ah鋰電池組3小時內(nèi)100%SoC快速充電。
關(guān)鍵字：快速充電鋰電池組 PFC LLC SiC 201808

寬禁帶技術(shù)-下一代功率器件

　　行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品都需具有最高能效。　　同時，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目
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羅姆首次亮相“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”

　　全球知名半導體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”(展位號：2展館T213)。以“用半導體為汽車的未來做貢獻”為理念，帶來了新能源汽車、汽車小型化輕量化、自動駕駛、人機交互等相關(guān)領(lǐng)先半導體產(chǎn)品。　　羅姆展臺人頭攢動　　在 “Formula E國際汽聯(lián)電動方程式錦標賽”特別展示區(qū)以及“xEV”、“環(huán)保/節(jié)能”、“安全/舒適”三大展區(qū)內(nèi)，重點展示了以下產(chǎn)品和技術(shù)：　　? 先進的SiC(碳化硅)技術(shù)：助力 “Formula
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德州儀器CTO：TI顛覆性技術(shù)將引領(lǐng)我們快速前進

　　當我坐在電動汽車上踩下加速踏板，時速在3秒之內(nèi)就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個過程。正如我駕車疾馳在高速公路快車道上，而新一代技術(shù)將載著我們馳騁在大數(shù)據(jù)公路的快車道上。　　暢想一下，新技術(shù)將影響著我們未來的工作和生活：　　· 汽車組裝生產(chǎn)線上將重新配置協(xié)作機器人，由它們來組裝不同型號的車輛。這將在降低成本的同時大大提高生產(chǎn)力，發(fā)揮競爭優(yōu)勢。今天，重置一個這樣的工廠可能需要幾年的時間。　　· 機器視覺技術(shù)將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環(huán)境下，駕駛時也可清晰視物。　　· 充電器尺寸將縮小到信
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應(yīng)用角：云電源

　　云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數(shù)據(jù)的設(shè)備的電源的通用術(shù)語。在電信或傳輸應(yīng)用中，云電源將為基帶單元和遠程無線電單元供電。用于存儲和處理的服務(wù)器機群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時斷電時用戶仍可訪問云。每臺服務(wù)器還將需要一個電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉(zhuǎn)換器來提供負載點電源。　　由于物聯(lián)網(wǎng)顯著增加了捕獲某種數(shù)據(jù)的端點數(shù)(2017年付運約20億臺設(shè)備，比2015年增長54%)，因此需要大量的存儲器來處理和存儲數(shù)據(jù)。為此，正在構(gòu)建大型服務(wù)器機群，這些機群將消耗大量電力。電源轉(zhuǎn)換將產(chǎn)生熱量，終
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低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度

　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。　　安森美半導體擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時，往往面對在更小尺寸實現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
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工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動用的SiC電源解決方案

　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設(shè)計簡單、性價比高的電源解決方案。　　小型輔助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
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我國半導體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破

　　6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長。　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了。”　　SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性，成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
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我國半導體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破

　　6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長。　　中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了。”　　SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性，成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
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安森美半導體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴苛的汽車應(yīng)用

　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢。　　SiC技術(shù)提供比硅器件更佳的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復電流，開關(guān)性能與溫度無關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
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美高森美繼續(xù)擴大碳化硅產(chǎn)品組合提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應(yīng)的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
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ROHM集團Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強化SiC功率元器件的產(chǎn)能

　　全球知名半導體制造商ROHM為加強需求日益擴大的SiC功率元器件的生產(chǎn)能力，決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房。　　新廠房為地上3層建筑，總建筑面積約11,000㎡。現(xiàn)在，具體設(shè)計工作正在有條不紊地進行，預(yù)計將于2019年動工，于2020年竣工。　　ROHM自2010年開始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來，于世界首家量產(chǎn)“全SiC”功率模塊和溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET，不斷進行著領(lǐng)先業(yè)界的技
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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]