飛兆發(fā)布碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案

　　為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設計人員在進行設計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強這些關(guān)鍵設計性能，設計的復雜程度就會提高，同時還會導致總體系統(tǒng)成本提高。

　　為幫助設計人員解決這些難題，全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 發(fā)布了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案，進而拓展了公司在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。　　

　　飛兆半導體SiC解決方案助您成功

　　通過在產(chǎn)品組合中引入基于SiC技術(shù)的新產(chǎn)品成員，飛兆半導體進一步鞏固了其在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品領(lǐng)先地位。

　　飛兆半導體的SiC特性包括：

• 經(jīng)過優(yōu)化的半標準化自定義技術(shù)解決方案，可充分利用自身較大的半導體器件與模塊封裝技術(shù)組合
• 憑借功能集成和設計支持資源簡化工程設計難題的先進技術(shù)，可在節(jié)約工程設計時間的同時最大限度地減少元器件數(shù)量。
• 具有尺寸、成本和功率優(yōu)勢的較小型先進封裝集成了領(lǐng)先的器件技術(shù)，可滿足器件制造商和芯片組供應商的需求

　　在飛兆半導體SiC組合中首先要發(fā)布的一批產(chǎn)品是先進的SiC雙極結(jié)型晶體管(BJT)系列，該系列產(chǎn)品可實現(xiàn)較高的效率、電流密度和可靠性，并且能夠順利地進行高溫工作。 通過利用效率出色的晶體管，飛兆半導體的SiC BJT實現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率，這是因為傳導和開關(guān)損耗較低(30-50%)，從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實現(xiàn)高達40%的輸出功率提升。

　　這些強健的BJT支持使用更小的電感、電容和散熱片，可將系統(tǒng)總體成本降低多達20%。 這些業(yè)界領(lǐng)先的SiC BJT性能出眾，可促進更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區(qū)，將在高功率轉(zhuǎn)換應用的功率管理優(yōu)化中發(fā)揮重大作用。

　　飛兆半導體還開發(fā)了即插即用的分立式驅(qū)動器電路板(15A和50A版本)，作為整套碳化硅解決方案的一部分，與飛兆半導體的先進SiC BJT配合使用時，不僅能夠在減少開關(guān)損耗和增強可靠性的條件下提高開關(guān)速度，還使得設計人員能夠在實際應用中輕松實施SiC技術(shù)。飛兆半導體為縮短設計時間、加快上市速度，還提供了應用指南和參考設計。應用指南可供設計人員獲取SiC器件設計所必需的其他支持;參考設計有助于開發(fā)出符合特定應用需求的驅(qū)動器電路板。

　　SiC BJT和其他SiC

　　有史以來最高效的1200 V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)
　　    • 最低的總損耗，包括開關(guān)、傳導及驅(qū)動器損耗
　　    • 所有1200 V器件中最低的開關(guān)損耗(任意RON條件下)

　　簡單直接的驅(qū)動
　　    • 常關(guān)功能降低了風險和復雜程度，并減少了限制性能的設計
　　    • 穩(wěn)定的基極輸入，對過壓/欠壓峰值不敏感

　　強健且可靠
　　    • 額定工作溫度高： Tj=175°C
　　    • 由于RON具有正溫度系數(shù)，增益具有負溫度系數(shù)，因此易于并聯(lián)
　　    • 穩(wěn)定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力

　　封裝和報價信息(訂購1,000個，美元)

　　飛兆半導體的SiC BJT采用TO-247封裝;符合條件的客戶從現(xiàn)在起即可獲取工程設計樣本。