- 我們采用單全橋LLC拓撲結構，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網站上找不到該設備，可以參考FAN7688的說明。有關該零件的更多詳細信息，請參閱數據表和應用說明。由于輸出電壓高（250?450
Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅動器。
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車載電動汽車充電器 NVHL060N090SC1 SiC
- 9 月 3 日消息，“南京發布”官方公眾號于 9 月 1 日發布博文，報道稱國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時 4 年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現我國在該領域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
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碳化硅 mosfet 第三代半導體 寬禁帶
- 據南京發布近日消息，國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時4年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據悉這是我國在這一領域的首次突破。公開資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優良特性。碳化硅MOS主要有平面結構和溝槽結構兩種結構。目前業內應用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結構的特點是工藝簡單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點是當電流被
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碳化硅 溝槽型碳化硅 MOSFET
- 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發布會成功召開。發布會上，賽事組委會發布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關內容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區人民政府黨組成員、副區長梁爽出席此次發布會；武漢市社會體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發布賽事信息；江夏區文化和旅游局（體育局）局長繆璐進行江夏區文旅推介，向社會各界發出“跟著賽事游江夏”的邀
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- 梗概隨著全球低碳化的進程，可再生能源發電占比及滲透率越來越高，此種背景下，儲能系統的引入有效抑制了新能源發電的波動性，PCS作為儲能系統的核心裝置應用廣泛。在工商業應用里，存在單相負載與三相不平衡負載，為了滿足單相供電需求以及對三相不平衡電壓的抑制，三相四線變流器拓撲是非常必要的，常見的拓撲形式有以下幾種：a)三橋臂分裂電容式拓撲b) 平衡橋臂拓撲圖一分裂電容式拓撲，由于N線電流流過母線電容，電容容量需求增大，且直流電壓利用率較低，諧波畸變較大，抑制三相不平衡能力相對有限，平衡橋臂式拓撲通過硬件電路增強中
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英飛凌 MOSFET
- 8月13日，新潔能發布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN
功率器件及封測的研發及產業化”項目達到預定可使用狀態日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠區擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現年產 SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
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新潔能 SiC GaN 功率器件 封測
- Nexperia近日宣布，公司正在持續擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產品組合，并推出了幾款采用行業標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優化，可在服務器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
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Nexperia NextPower MOSFET
- ~符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101，有助于車載應用的高效運行和小型化~全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出具有低導通電阻*1優勢的車載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產品非常適用于汽車門鎖和座椅調節裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應用。目前，3種封裝10種型號的新產品已經開始銷售，未來會繼續擴大產品陣容。在汽車領域，隨著安全性和便捷性的提高，電子產品逐漸增加，使得所安裝的電子元器件數量也
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- 半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管（FET），簡稱場效應管。場效應管可以分成兩大類，一類是結型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場效應管”你會發現，搜索出來的基本上是絕緣柵場效應管。即使搜索“結型場效應管”，出來的也只有幾種，你是不是懷疑結型場效應管已經被人類拋棄了的感覺，沒錯，JFE
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三極管 MOSFET JFET
- 隨著社會經濟發展、能源結構變革，近幾年全球對家用儲能系統的需求量一直保持相當程度的增長。2023年，全球家用儲能系統市場銷售額達到了87.4億美元，預計2029年將達到498.6億美元，年復合增長率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲能市場經過了一輪爆發式增長的狂歡后，現在也迎來了穩定增長期，從未來看，預計在2027年便攜儲能市場將達到900億元；AI
Server市場規模持續增長，帶來了數字化、智能化服務器所需的高功率服務器電源的需求，現在單機3KW的Power也成為了標配。對于
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Infineon XMC1400 CoolSiC Mosfet 高功率密度 雙向圖騰柱 PFC 數字電源
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業設備和汽車領域的豐富產品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
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- JFET 與 MOSFET的區別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結上的電場引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區別兩者之間的下一個關鍵區別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”，
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結型場效應管 jfet MOSFET 電路設計
- 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發展備受關注：Yole 數據顯示，2026 年 GaN 市場規模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優勢已經被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動力。新能源車的最大
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GaN SiC
- 7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡稱“悉智科技”）宣布，其首批車規級功率模塊量產產品正式下線投產。悉智科技表示，此次下線的首批量產模塊，是悉智科技自研的高端電驅SiC塑封功率模塊產品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開發上，悉智科技取得了顯著進展，目前該產品已獲取到客戶的量產訂單，并會在今年四季度實現大規模量產。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運營以來，始終專注于車規級功率與電源模塊的研發與生產，致力于為智能電動汽車、光儲新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
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悉智科技 DCM封裝 8并 SiC
- 專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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貿澤 英飛凌 CoolSiC G2 MOSFET
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