隨著工藝水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，即金屬-氧化物半導體場效應晶體管)閾值電壓的失配常數Avt越來越小，電流源之間的匹配程度越來越高，然而隨著DAC(Digital?to?Analog?Converter，即數模轉換器)分辨率的提高，?DAC對電流源誤差的要求越來越高[1]。其中閾值電壓失配不僅與Avt有關，由于閾值電壓的溫度系數存在，DAC工作
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DAC MOSFET
納微 (Navitas)半導體宣布其現場應用及技術營銷總監黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術論壇”上發表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業內首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商，該活動為具有創新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業知識。 黃萬年
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納微 SiC
近年來，出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮，對汽車的環保性能要求越來越高。世界各國均已制定了新能源汽車的開發和引進計劃，未來新能源汽車的普及將會進一步加速。其中，中國新能源汽車市場發展勢頭最為迅猛。隨著中國新能源汽車市場的迅速壯大和新能源汽車技術的快速發展，越來越多的中國新能源汽車品牌開始走出國門，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車市場。 作為全球知名半導體制造商， ROHM一直以來都將汽車市場為主要目標領域，通過開發并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車電子化需求的創新型高
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ROHM SiC
電動工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節)鋰離子電池供電的電機驅動。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護少、噪音小、使用壽命更長。 驅動電機功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護可靠、峰值電流承載能力強。小尺寸可實現工具內的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設計。高效率可提供最長的電池壽命并減少冷卻工作。可靠的操作和保護可延長使用壽命，有助于提高產品聲譽。 為在兩個方向上驅動BDC電機，您
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BLDC MOSFET
引言 在如今的汽車中，為了提高舒適度和行車體驗而設計了座椅加熱、空調、導航、信息娛樂、行車安全等系統，從這些系統很容易理解在車中為各種功能供電的電子系統的好處。現在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象，那時，在汽油動力汽車中，一個電子組件都沒有。在世紀交替時期的汽車開始有了手搖曲柄，前燈開始用乙炔氣照明，也可以用鈴聲向行人發出提示信息了。如今的汽車正處于徹底變成電子系統的交界點，最大限度減少了機械系統的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數字化工具”。由于可用性和環保原因
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電源 MOSFET
隨著技術的不斷更新換代，以及電動汽車市場的巨大助力，SiC產品有望迎來快速增長期。
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電動汽車 SiC
MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內的12寸晶圓量產之后，將8寸的產能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產能，漲價仍會持續，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產，預計2018年6月可正式投產，擴產后的產能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。
MOSFET作為應用廣泛的基礎類元器件
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MOSFET DFN
017年11月24日，德國慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結MOSFET技術。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場對諧振拓撲的需求。它的LLC和ZVS PSFB等軟開關拓撲具備業內領先的效率和可靠性。這使其非常適合服務器、電信設備電源和 電動汽車充電站等高功率SMPS應用。 &n
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英飛凌 MOSFET
MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內的12寸晶圓量產之后，將8寸的產能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產能，漲價仍會持續，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產，預計2018年6月可正式投產，擴產后的產能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。
MOSFET作為應用廣泛的基礎類元器件
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MOSFET 晶圓
功率因數校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？-近年來，隨著汽車、通信、能源、綠色工業等大量使用MOSFET的 行業的快速發展，功率MOSFET備受關注。
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MOSFET 功率因數 Vishay
面對國際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產能大量移轉到車用電子領域，并開始采取限量供應MOSFET芯片給PC、NB及移動裝置產品客戶的情形，大中、富鼎、尼克森等臺系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營收成長力道，客戶追加訂單的盛況更是前所未見。雖然第4季全球PC及NB市場需求照理說會開始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶對于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關注態度，臺系MOSFET芯片供應商多已表達淡季不淡的樂觀預期看法
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MOSFET 芯片
以MLCC為代表的被動元件在進入第三季度后，受產能供需吃緊影響，價格大漲，部分物料漲幅甚至超過10倍。而與被動元件市場行情相似的MOSFET芯片也出現缺貨潮，導致價格上漲，即便是在溢價20%的基礎上新增訂單，供應商仍難交出貨來。更嚴重的是，MOSFET芯片市場缺貨潮短期內將難以緩解，保守估計到2019年局面才能改觀。
據IHS數據顯示，2016年MOSFET芯片市場總規模為205億美元，2017年預計將增長到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應用于消費類電子、電動汽車以及IIoT等領域，杭州士
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MOSFET MLCC
電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關。 我們知道開關電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關器件長期工作于高電壓大電流狀態，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導致功耗大增，晶圓結溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區。 一、什么是安全工作區? 安全工作區：SOA(Safe operating&nb
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MOSFET IGBT
近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。
通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質量和成品率的關鍵技術有很高的
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半導體 SiC
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