東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅動的100V?N溝道功率MOSFET，以此擴大其低電壓N溝道功率MOSFET的產品陣容。“U-MOS?VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產品出貨即日啟動。 隨著快速充電器的普及和發(fā)展，市場需要更高性能的用于次級側整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結構工藝，實現了業(yè)界領先的[1]低導通電阻和高速性能。該結
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東芝 MOSFET
摘要–當一個功率MOSFET管被用在電橋拓撲或用作電源二次側同步整流管時，體漏二極管的特性以及品質因數將變得非常重要。當需要Qrr 數值很低的軟反向恢復時，集成肖特基二極管的新60V ST “F7”功率MOSFET管確保能效和換向性能更加出色。 I.前言 在同步整流和電橋結構中，RDSon 和 Qg 兩個參數并不是對功率MOSFET管的唯一要求，實際上，本征體漏二極管的動態(tài)特性對MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,d
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MOSFET MOSFET
2017電源市場需求和技術趨勢風向如何?來e星球，與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流! 需求往往是推動創(chuàng)新的源泉，無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領域都存在這樣的現象。抓住了用戶需求，潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā)，也只有適應需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內外領先電源廠商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場需求與走勢，
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SiC GaN
2017年3月14日(周二)~16日(周四)，全球知名半導體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時ROHM將在E4館設有展位(展位號：4100)，向與會觀眾展示ROHM最新的產品與技術。來到現場還將有ROHM的專業(yè)技術人員向您做最詳盡的介紹，期待您的到來。 ROHM展位信息 "慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內最重要的盛會。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導體制造商，&
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ROHM SiC
日本三菱化學及富士電機、豐田中央研究所、京都大學、產業(yè)技術綜合研究所的聯合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關鍵技術。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術，GaN芯片生產量占據世界最高份額。若做到現有技術的實用化，將處于世界優(yōu)勢地位。
功率半導體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產業(yè)需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經量產，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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GaN MOSFET
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)擴大其SLLIMM? nano系列電機驅動智能功率模塊(IPM)產品陣容。除了使得應用總體尺寸最小化和設計復雜性最低化的多種可選封裝外，新產品還集成更多的實用功能和更高能效的最新的500V MOSFET。 新IPM模塊的額定輸出電流1A或2A，目標應用瞄準最高功率100W的電機驅動市場，例如冰箱壓縮機、洗衣機或洗碗機的電機、排水泵、循環(huán)水泵、風扇電機、以及硬開關電路內工作頻率小
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意法半導體 MOSFET
噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質內部微粒作無規(guī)律的隨機熱運動而產生的，常用統(tǒng)計數學的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網絡和系統(tǒng)中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網絡和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測量。 附加相位噪聲測試技術及注意事項 本文簡單介紹了相位噪聲的定義，詳細介紹了附加相位噪聲的測試過程，給出了實際的測試結果，指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義。 用于4G-LTE頻段噪聲測試
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MOSFET 噪聲
日本 DISCO 公司的科學家們使用一種稱為關鍵無定形黑色重復吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產率提升到原來的四倍，并且在提高產量的同時減少材料損耗。該技術適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場中的滲透較慢，主要是因為其產量小、且生產成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產量，并且應該能夠使 SiC 器件作為功率
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SiC
摘要 – 近幾年來，開關電源市場對高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高，在此拉動下，設計人員轉向尋找電能損耗更低的轉換器拓撲。PWM移相控制全橋轉換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結合的開關電源拓撲，能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關管在零壓開關(ZVS)轉換器內的工作特性。 1. 前言 零壓開關移相轉換器的市場定位包括電信設備電源、大型計算機或服務器以及其它的要求功率密度和能效兼?zhèn)涞碾娮釉O備。要想實現這個目標，就必須最大限度降低功率損耗和無功功率
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MOSFET ZVS
如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現對電能的高效產生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。
然而，與集成電路產業(yè)相似，我國功率半導體產業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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功率半導體 SiC
1 GaN 功率管的發(fā)展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
1 GaN 功率管的發(fā)展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
問題1：最近，我們公司的技術專家在調試中發(fā)現，MOSFET驅動電壓過高，會導致電路過載時，MOSFET中電流過大，于是把降低了驅動電壓到6.5V，之前我們都是在12V左右。這種做法感覺和您在文章里第四部份似乎很相似，這樣做可行么? 問題分析： 系統(tǒng)短路的時候，功率MOSFET相當于工作在放大的線性區(qū)，降低驅動電壓，可以降低跨導限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護的角度而言，確實有一定的效果。然后，降低驅動電壓，正常工作時候，RDSON會增大，系統(tǒng)效率會降低，MOSFET的溫度會升高，
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MOSFET 芯片
MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。 在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
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MOSFET 驅動電路
1 GaN 功率管的發(fā)展 微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
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