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ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強大!支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001),有助于大功率應用的高效化與小型化

- <概要> 全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。 本產(chǎn)品通過ROHM獨有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設計優(yōu)化,實現(xiàn)了600A額定電流,由此,在工業(yè)設備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應用成為可能。另外,與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比,開關損耗降低了64%(芯片溫度150℃時),這非常有助于應
- 關鍵字: ROHM SiC
汽車功率元器件市場前景廣闊
- 汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。 雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015-2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源
- 關鍵字: SiC GaN
功率半導體:自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升
- 與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認為功率半導體競爭格局固定,技術升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導體的重要性被長期低估,我國功率半導體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
- 關鍵字: 功率半導體 SiC
意法半導體(ST)同級領先的900V MOSFET管,提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效

- 意法半導體最新的900V MDmesh? K5超結(jié)MOSFET管讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求,具有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態(tài)特性。 900V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產(chǎn)品含有首個RDS(ON)導通電阻低于100m?的900V MOSFET管,是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)最低的柵電荷(Qg)確保開關速度更快,在需要寬輸入電壓的應用領域,實現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標準準諧振電
- 關鍵字: 意法半導體 MOSFET
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