近年來，SiC(碳化硅)因其優異的節能效果和對產品小型化、輕量化的貢獻，在新能源汽車、城市基礎設施、環境/能源，以及工業設備領域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產品相比，SiC產品憑借更低的開關損耗，可實現設備中冷卻機構的小型化。同時，通過更高頻率的開關動作，還可實現線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見，SiC是可以同時實現設備節能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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ROHM SiC 汽車
平面式高壓MOSFET的結構
圖1顯示了一種傳統平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和：
RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
圖1：傳統平面式MOSF
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MOSFET 超級結
在經過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
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SiC Cree
今天，做一個產品或系統的電路保護方案，特別是智能電網等工業應用的端口保護設計，就像是組織一場足球比賽的防御戰：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰術，去抵御來自對手的每一次可能的“進攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業電路保護界的“豪門”，是怎么玩兒的。 那些明星元件 先來細數一下世健帳下那些在智能電網上可堪重用的電路保護元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如： TBU高速
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智能電網 MOSFET
SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優勢。當然，要進行大批量生產，逆變器除了靜態和動態性能之外，還必須具備適當的可靠性，以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
全球出現的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節能新政。電子產品的能耗標準越來越嚴格，對于電源設計工程師，如何設計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰。本文從電源PCB的布局出發。
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電源模塊性能 PCB布局技術 MOSFET
人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了.
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SiC 集成技術 生物電信號 采集方案
人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何
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EEG SiC 生物電信號采集 IMEC
實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數字電路開關控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
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三極管 MOSFET
“MOSFET(場效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應管)(Power MOSFET(場效應管))是指它能輸出較大的工作電流
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功率MOSFET MOSFET
在本設計小貼士中，我們來了解一下自驅動同整流器并探討何時需要分立驅動器來保護同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅動同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量，變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。
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分立器件 MOSFET 同步整流器 電源設計小貼士
分立器件可以幫助您節約成本。價值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅動器 IC 成本降低 10 倍。分立驅動器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關電流，從而提高穩壓和噪聲性能。
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德州儀器 分立器件 MOSFET 電源設計小貼士
即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統中插入或移除電路板，從而避免了出現連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題。控制器 IC 驅動與插入電路板之電源相串聯的功率 MOSFET 開關 (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
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安全工作區 MOSFET LTC4233 熱插拔 熱插拔控制器
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