納微半導體將在中國臺灣的電源設計技術論壇活動上

　　納微 (Navitas)半導體宣布其現(xiàn)場應用及技術營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現(xiàn)下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商，該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識。

　　黃萬年表示：“在四十多年來一直采用慢速且低效的硅組件之后，現(xiàn)時電力電子產(chǎn)業(yè)正進入一個令人興奮的新材料、新器件、新磁學、新控制器及富有想象力的拓樸的新時代。納微非常期待展示如何在氮化鎵組件中實現(xiàn)功率、驅(qū)動和邏輯的單片化集成，為智能手機、膝上型計算機、消費產(chǎn)品、電視和新能源應用提供新一代高效、高密度的充電器及適配器。”

　　該論壇將于2018年1月30日下午1:00至5:10于臺北科技大學億光大樓二樓集思北科大會議中心舉行，此活動詳情請參見網(wǎng)頁http://www.mem.com.tw/meeting_arti.php?sn=1712190001。

　　如果想?yún)⒓釉撜搲埌l(fā)送電郵至info@navitassemi.com，或是致電聯(lián)絡+1 ThinkGaNIC (+1 844-654-2642)。