ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊

　　全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現業界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調查數據)

　　近年來，由于SiC產品的節能效果優異，以1200V耐壓為主的SiC產品在汽車和工業設備等領域的應用日益廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發展，系統呈高電壓化發展趨勢，1700V耐壓產品的需求日益旺盛。然而，受可靠性等因素影響，遲遲難以推出相應產品，所以1700V耐壓的產品一般使用IGBT。

　　在這種背景下，ROHM推出了實現額定1700V的全SiC功率模塊，新產品不僅繼承了1200V耐壓產品中深獲好評的節能性能，還進一步提高了可靠性。

　　此次新開發的模塊采用新涂覆材料和新工藝方法，成功地預防了絕緣擊穿，并抑制了漏電流的增加。在高溫高濕反偏試驗(HV-H3TRB)中，實現了極高的可靠性，超過1,000小時也未發生絕緣擊穿現象。從此，在高溫高濕度環境下也可以安心地處理1700V的高耐壓了。

　　另外，模塊中采用了ROHM產的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(SBD)，通過優化模塊內部結構，使導通電阻性能比與同等SiC產品優異10%，非常有助于應用進一步節能。

　　本模塊已于2018年10月開始投入量產。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡)，后期工序的生產基地為ROHM總部工廠(日本京都)。

　　未來，ROHM不僅會繼續擴充讓客戶安心使用的產品陣容，還會配備可輕松測試SiC模塊的評估板等，以進一步滿足日益擴大的市場需求。

　　<特點>

　　1.在高溫高濕環境下確保業界頂級的可靠性

　　通過采用新涂覆材料作為芯片的保護對策，并引進新工藝方法，使新模塊通過了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗，從而使1700V耐壓的產品得以成功走向市場。

　　比如在高溫高濕反偏試驗中，比較對象IGBT模塊在1,000小時以內發生了引發故障的絕緣擊穿，而BSM250D17P2E004在85℃/85%的高溫高濕環境下，即使施加1360V達1,000小時以上，仍然無故障，表現出極高的可靠性。

　　2.優異的導通電阻性能，有助于設備進一步節能

　　新模塊中使用的是ROHM產的SiC SBD和SiC MOSFET。通過SiC SBD和SiC MOSFET的最佳組合配置，使導通電阻低于同等普通產品10%，這將非常有助于應用進一步節能。

　　<術語解說>

　　※1) 漏電流

　　功率元器件中從絕緣的位置泄漏出來的微小電流。抑制漏電流可防止元器件損壞和功耗增加。

　　※2) 高溫高濕反偏試驗(HV-H3TRB：High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias)

　　對于在高溫高濕環境下使用功率元器件時的耐久性進行評估的試驗。通過電場和水分引起的絕緣處漏電流的增加，來檢測絕緣擊穿等故障現象。