Nexperia推出超微型MOSFET具備低導通電阻RDS(on)

半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia發布了一系列MOSFET產品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產品應用，包括可穿戴設備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。

PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節省了超過36%的空間。由于采用了先進工藝流程，這些新器件提供低導通電阻RDS(on)，與競爭對手產品相比減小了60%以上，它們還具備優良的ESD性能，低至0.7 V的超低VGS電壓閾值，這個參數對低驅動電壓的便攜式產品應用至關重要。

Nexperia產品經理Sandy Wang評論道：“新一代可穿戴設備不斷突破消費電子技術的界限。智能手機、智能手表、健身跟蹤器和其他創新技術的演進需要微型化MOSFET，用以提供領先的性能和效率，從而實現越來越多的復雜功能。Nexperia擁有很高產能和制造能力，能夠進行擴產，以最大限度地滿足市場需求。”