sic mosfet 文章 最新資訊
SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
- 前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發(fā)與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個SSDC模塊的結構圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復雜的，里面包含了許
- 關鍵字： SiC Traction模塊 安森美 202311
安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級到800V電池架構
- 自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
- 關鍵字： 安森美 onsemi MOSFET 車載充電器 800V電池架構
用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
- 關鍵字： 安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動器
國內(nèi)8英寸SiC傳來新進展
- 近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統(tǒng)等領域?qū)μ蓟璋雽w產(chǎn)品需求不斷增長，并推動新興半導體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產(chǎn)；天科合達計劃在2023年實現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn)，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協(xié)議。近期，科友半導體傳來了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關鍵技術，在晶體尺寸、厚度
- 關鍵字： 8英寸 SiC 科友半導體
Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
- 奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器、工業(yè)、開關電源、快充、USB-PD和電機控制應用。 長期以來，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開關效率的重點。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導致產(chǎn)生了意外后果
- 關鍵字： Nexperia MOSFET
SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
- 如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術等要求苛刻領域的進步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物
- 關鍵字： SiC
采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點
- 近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如，多個標準法規(guī)已經(jīng)或即將強制規(guī)
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET
干貨 | MOSFET結構及其工作原理詳解
- 01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（Sta
- 關鍵字： MOSFET
用于車載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
- 隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設計 OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓撲結構的變化非常顯著。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲，因為它有著卓越的開關性能和較小的反向恢復特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術的汽
- 關鍵字： 安森美 車載充電器 MOSFET
中國小型 SiC 廠商，難過 2023
- 2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用 SiC 芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結果表明，在相同功率等級下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關損耗降低了 75％。換算下來，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統(tǒng)效率可以提高 5％左右。一場特斯拉的大風，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動車傳動系統(tǒng) SiC 用量大減 75%，因借創(chuàng)新技術找到下一代電動車動力系統(tǒng)減少使用 S
- 關鍵字： SiC
sic mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sic mosfet相關帖子
sic mosfet資料下載
sic mosfet專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473