根據TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023
SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON
Semi等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規模預估2022年全球車用MCU市場規模達82
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SiC 功率半導體 IGBT 美光
優化電源設計以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節省能源，減少熱量產生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數量比，以提高電源設計的效率。圖 1 顯示了一個具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡化電路。圖 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時，如何恰當分配 HS-FET 和 LS-FET 的內阻以獲得最佳效率，這對電源工程師來說是一項挑戰。 MOSFET的結構和損耗組成MOSFE
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MPS MOSFET
自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發了以集成電路為核心的微電子領域迅速發展。隨著時間的流逝，盡管目前業內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業快速發展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃
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GaN SiC
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業設備功率模塊
EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時，可實現高達數萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導體開關領域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據明顯的優勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯結構，其效率高于 IGBT，且比超結 MOSFET 更具吸引力。不過，這不僅關乎轉換系統的整體損耗。對于 EV 車主來說，成本、尺寸和
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Qorvo OBC SiC
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了全面優化，可在175°C下工作，適用于先進的電信和計算設備。 憑借數十年開發先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產品組合中的首選，
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Nexperia SMD 銅夾片 LFPAK88 MOSFET
日前，英飛凌科技大中華區在京舉辦了2023年度媒體交流會。英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區總裁、英飛凌科技大中華區電源與傳感系統事業部負責人潘大偉率大中華區諸多高管出席，分享公司在過去一個財年所取得的驕人業績，同時探討數字化、低碳化行業發展趨勢，并全面介紹英飛凌前瞻性的業務布局。 2022財年英飛凌全球營收達到142.18億歐元，利潤達到33.78億歐元，利潤率為23.8%，均創下歷史新高。其中，大中華區在英飛凌全球總營收中的占比高達37%，繼續保持英飛凌全球最大區域市場的地位，為公司全球業務的發展提供
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英飛凌 數字化 低碳化 SiC
中國 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? （納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術，其高性能具體表現在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產品 TOLL 封裝系列中的首發產品，其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應用場景，如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達
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Qorvo 750V SiC FETs
第三代半導體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產值又以SiC占80%為重。據TrendForce集邦咨詢研究統計，隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%。△Source：TrendForce集邦咨詢今年以來，SiC領域屢受資本青睞，融資不斷。截至今日，已有20家SiC相關企業宣布獲得融資，融資金額超23億。融資企業包括天科合達、天域半導體、瞻芯電子、派恩杰等領先企業。天科合達天科合達完成了Pre-IPO輪融
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SiC 融資
在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關器件，特別是SiC MOSFET，已經從一個研究課題演變成一個重要的商業化產品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動車（BEV）驅動系統中采用，但現在，越來越多的應用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設備和系統設計中都必須評估SiC在系統中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開始呢？工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模塊將雙極達林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅動力一直是降低損耗
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英飛凌 SiC
_____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發不良的導電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實現方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用，而且在汽車
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MOSFET IGBT
據報道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發了采
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SiC MOSFET
根據市調統計，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業者合作案明朗化，將推動2023年整體碳化硅（SiC）功率組件市場產值達22.8億美元、年成長41.4％。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應用場景，能進一步提升電動車與再生能源設備系統效率。集邦表示，SiC功率組件的前兩大應用為電動車與再生能源領域，分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率組件市場產值約67.4％和13.1％。車用方面，安森美與大眾汽車簽屬戰略協議，另外該系列產品亦被起亞
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SiC
以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發展著，而“圍墻”之外的企業亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產重組重新恢復審核，其對第三代半導體業務的開拓有了新的進展。3月6日，中瓷電子發布了《發行股份購買資產并募集配套資金暨關聯交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發行股份的方式，購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業務資產及負債、國聯萬眾94.6029%股權。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業務。2023年3月2
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第三代半導體 收購 SiC GaN
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個特定值。大多數功率轉換器都有過流限制器，以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉換器中，甚至可以調整閾值。圖1. 每個端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內置甚至可調節限流器的DC-DC升壓轉換器。在這種情況下，無需額外的限流器模塊。不過，也有許多應
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ADI MOSFET
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