今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談超級結MOSFET相關的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據其特征和特性對使用區分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。可以看出，Si-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
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MOSFET 超級結MOSFET
前 言 1824年，一種全新的材料被瑞典科學家，貝采里烏斯合成出來，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無奇的樣子，仿佛是隨處可見的灰燼，也許誰也沒能想到，就是這一小撮雜質般的黑色顆粒，將會在近200年后，在其之上長出絢爛的花朵，幫助人類突破半導體的瓶頸。在人類半導體產業的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術發展速度卓越，無論是成本還是性能都達到了完美的平衡，自然對于碳化硅（SiC）沒有過多的注意。直到20世紀90年代，Si基電力電子裝置出現了性能瓶頸，再次激發
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SiC 新能源汽車 汽車電子
隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場狀況將發生變化，GaN 被認為會產生后續替代效應。據業內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯華電子受益，它們已經進行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發電場和大型三相電網
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GaN SiC
一直以來，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關鍵問題，是車企和車主共同的焦慮；但隨著高壓電氣技術的不斷進步和快充時代的到來，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發三年后，800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V，800V帶來了更高的功效，大幅提升功率，實現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領著這一輪高壓技術的革命。小鵬發布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
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碳化硅 SiC
電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時尺寸較小，從而有助于實現更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時散熱效果并不理想。由于器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤）直接焊接到覆銅區，這導致熱量主要通過PCB進行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過空氣對流來散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數、厚度和布局。無論電路板是
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安森美 MOSFET
銀河微電12月20日在互動平臺表示，功率MOSFET器件已實現Clip Bond技術的量產；IPM模塊已完成一款封裝的量產，未來將根據市場情況逐步系列化；DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證，性能指標符合開發目標要求；CSP0603封裝已完成技術開發，未來芯片線改擴建時將進行成果轉化。
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銀河微電 MOSFET
當您設計新電力電子產品時，您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創建基于 SiC 半導體的開關電源，其應用領域包括光伏系統、儲能系統、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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安森美 SiC
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協議，此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協議顯示，英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC
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英飛凌 Resonac 碳化硅 SiC
與硅技術相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統，將會非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這不僅節省了能源，而且使設備更小、更輕，相關的資本、安裝和維護成本更低。關鍵的應用要求及其挑戰。在光伏和儲能系統中，1500V的高系統電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時要求功率器件具有更高的系統效率
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英飛凌 SiC 逆變器
_____“?動態特性是功率器件的重要特性，在器件研發、系統應用和學術研究等各個環節都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態參數進行測試是相關工作的必備一環，主要采用雙脈沖測試進行。”按照被測器件的封裝類型，功率器件動態參數測試系統分為針對分立器件和功率模塊兩大類。長期以來，針對功率模塊的測試系統占據絕大部分市場份額，針對分立器件的測試系統需求較少，選擇也很局限。隨著我國功率器件國產化進程加快，功率器件廠商和系統應用企業也越來越重視功率器件動態參數測試，特別是針對分立器件的測試系統提出了越來越多
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MOSFET
高頻高效是開關電源及電力電子系統發展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態下，減小功率元件開關損耗，提高系統效率。高頻高效是開關電源及電力電子系統發展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態下，減小功率元件開關損耗，提高系統效率。功率MOSFET開關損耗有2個產生因素：1）開關過程中，穿越線性區（放大區）時，電流和電壓產生交疊，形成開關損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關損耗中占主導作用。圖1 功率MOSFET
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MOSFET ZVS
碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優勢，在高壓應用領域需求廣泛，具有巨大的研究價值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發展歷程和前沿技術進展，總結了進一步提高器件品質因數的元胞優化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發展現狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰進行了討論。1 引言電力電子變換已經逐步進入高壓、特高壓領域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產品未采用內部接線柱[1]結構，通過引入一個銅夾片將源極連接件和外
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東芝 MOSFET
功率半導體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉換成交流）、整流（交流轉換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉換）是基本的電能轉換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應用領域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉化和電路控制的核心器件，功率器件下游應用十分廣泛，包括新能源（風電、光伏、儲能和電動汽車）、消費電子、智能電網、軌道交通等，根據每個細分領域性能要求
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功率器件 IGBT MOSFET 國產替代
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