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        sic mosfet 文章 最新資訊

        EEVIA媒體論壇之英飛凌:賦能未來汽車低碳化和數字化發展

        • 在最近召開的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產業鏈研創趨勢展望研討會上,來自英飛凌安全互聯系統事業部的汽車級WiFi/BT及安全產品應用市場管理經理楊大穩以“英飛凌賦能未來汽車低碳化和數字化發展“為題,詳細介紹了英飛凌在汽車電子領域的相關產品和未來趨勢。?新能源車是全球汽車市場增長最快也是需求最旺盛的領域,特別是在中國這個全球產銷第一的市場,2022年國有品牌汽車占據近一半的中國汽車市場份額,最大的驅動力是來自于新能源車和電動車。可以預想,隨著政府和車廠的支持,電動車未來幾年會迎
        • 關鍵字: 英飛凌  SiC  電動汽車  無人駕駛  

        SiC助力軌道交通駛向“碳達峰”

        • 當前,全球主要國家和地區都已經宣布了“碳達峰”的時間表。在具體實現的過程中,軌道交通將是一個重要領域。由于用能方式近乎100%為電能,且帶動大量基礎設施建設,因此軌道交通的“碳達峰”雖然和工業的“碳達峰”路徑有差異,但總體實現時間將較為接近。在中國,這個時間節點是2030年之前。當然,“碳達峰”在每一個領域都有狹義和廣義的區分,比如在工業領域,一方面是重點企業自身通過節能+綠電的方式實現“碳達峰”,另一方面也需要圍繞重點企業的產業鏈上下游全面實現能耗降低。對于軌道交通也是如此,狹義層面的軌交工具,以及廣義
        • 關鍵字: Mouser  SiC  

        碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配可配置數字柵極驅動技術助力實現“萬物電氣化”

        • 綠色倡議持續推動工業、航空航天和國防應用,尤其是運輸行業的電力電子系統設計轉型。碳化硅(SiC)是引領這一趨勢的核心技術,可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現電氣化,從而減少溫室氣體(GHG)排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統,為機載交流發電機、執行機構和輔助動力裝置(APU)供電。這類解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是,SiC技術最顯著的貢獻體現在其所肩負實現商用運輸車輛電氣化的使命上,這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
        • 關鍵字: 碳化硅  SiC  電源管理  可配置數字柵極驅動  萬物電氣化  

        士蘭明鎵SiC功率器件生產線初步通線,首個SiC器件芯片投片成功

        • 10月24日,士蘭微發布公告稱,近期,士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現初步通線,首個SiC器件芯片已投片成功,首批投片產品各項參數指標達到設計要求,項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試,目標是在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。士蘭微表示,公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發,性能指標達到業內同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上,參數指標較好,繼續完成評測,即將向客戶送樣。據了解,2017年12月1
        • 關鍵字: 士蘭微  士蘭明鎵  SiC  功率器件  

        認識線性功率MOSFET

        • 本文針對MOSFET的運作模式,組件方案,以及其應用范例進行說明,剖析標準MOSFET的基本原理、應用優勢,與方案選擇的應用思考。線性MOSFET是線性模式應用時最合適的選擇,能夠確保可靠的運作。然而,用于線性模式應用時,標準MOSFET容易產生電熱不穩定性,從而可能導致組件損壞。A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應用,都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區內運行。了解線性模式運作在功率 MOSFET 的線性工作模式下,高電壓和高
        • 關鍵字: Littelfuse  線性功率  MOSFET  

        電源系統設計優化秘技:單片驅動器+MOSFET(DrMOS)

        • 現階段,多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速,令這些器件所需功率急劇增加,直接導致向微處理器供電的穩壓器模塊(VRM)的升級需求:一是穩壓器的功率密度(單位體積的功率)升級,為了在有限空間中滿足系統的高功率要求,必須大幅提高功率密度;另一是功率轉換效率提升,高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業一種公認的解決方案,是將先進的開關MOSFET(穩壓器的主要組成部分)及其相應的驅動器集成到單個芯片中并采用高級封裝,從而實現緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優化了高速功率轉換。隨著對這
        • 關鍵字: 電源系統設計  單片驅動器  MOSFET  DrMOS  

        科普:MOSFET結構及其工作原理

        • MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓,產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離,MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。市面上大家所說的功率場效應晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
        • 關鍵字: MOSFET  

        世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業電源

        • 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關斷速度,而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體,雖然它們比硅更難制造及更昂貴,但也具有獨特的優勢和優越的特性,使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
        • 關鍵字: GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

        基于英飛凌SIC MOSFET 和驅動器的11kW DC-DC變換器方案

        • REF-DAB11KIZSICSYS是一個CLLC諧振DC/DC轉換器板,能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓,IMZ120R030M1H(30mΩ/1200V SiC MOSFET)加上1EDC20I12AH,使其性價比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關特性,是電動汽車和能量存儲系統(ESS)等DCDC項目的理想選擇。 終端應用產品30 kW 至 150 kW 的充電機,50 kW 至 350 kW 的充電機,儲能系統,電動汽車快速充電,功率轉換系統 (PCS)?場景應用
        • 關鍵字: mosfet  dc-dc  英飛凌  ipcdcdc  infineon  終端  功率  dc  充電器  

        上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動IC和MOSFET解決方案

        • 智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新換代,功能越來越豐富,隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰。然而,在現有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下,人們開始探索更快的電量補給,以高效充電來壓縮充電時間,降低充電的時間成本,從而換取設備的便攜性,提升用戶體驗。目前,USB-PD是最為主流的快充技術。該技術標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規格,以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過一條USB-TYPE C線纜
        • 關鍵字: 上海貝嶺  驅動IC  MOSFET  

        使用TI功能安全柵極驅動器提高SiC牽引逆變器的效率

        • 隨著電動汽車 (EV) 制造商競相開發成本更低、行駛里程更長的車型,電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統效率的壓力,這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優勢。功率損耗越低則效率越高,因為它會影響系統熱性能,進而影響系統重量、尺寸和成本。隨著開發的逆變器功率級別更高,每輛汽車的電機數量增加,以及卡車朝著純電動的方向發展,人們將持續要求降低系統功率損耗。過去,牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而,隨著半導體技術的進步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高
        • 關鍵字: TI  功能安全  柵極驅動器  SiC  逆變器  

        貿澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

        • 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子  (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC(現已被 Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率,同時提高系統功率密度。這些FET經優化適合車載充電器、軟開關DC/DC
        • 關鍵字: 貿澤  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  

        測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法

        • SiC MOSFET具有出色的開關特性,但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里,將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解,其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量,在開關速度較快時
        • 關鍵字: 羅姆半導體,MOSFET  

        東芝推出面向更高效工業設備的第三代SiC MOSFET

        • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品,已于今日開始出貨。  新產品的單位面積導通電阻(RDS(ON)A)下降了大約43%[3],從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大約80%[4],這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
        • 關鍵字: 東芝  SiC MOSFET  

        安森美慶祝在新罕布什爾州擴張碳化硅工廠

        • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),昨天美國時間舉行了剪彩儀式,慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產能同比增加五倍,在哈德遜的員工人數幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈,從SiC粉末和石墨原料的采購,到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應保證,以滿足對基于SiC的方案迅速增長的需求。SiC對于提高電
        • 關鍵字: 安森美  碳化硅工廠  SiC  
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