與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
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SiC 講座 功率元件 氧化鎵
首先介紹一下這樣做的優點：采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿足時序的要求，這樣單片機的工作電流可以變得更低，最重要的是VDD到VSS的電流峰值會更小。
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單片機 FET 穿通電流 工作頻率
眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。
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GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp)
不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續下去，有些電子系統的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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GaN SiC
導電能力介于導體與絕緣體之間的物質 - 半導體
硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質其產生的不同電阻率是由于可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質來改變自由電子的數量，并可控制電流動的物質稱為半導體。
根據電流流動的構造，可將半導體分為N型和P型兩類。
半導體的電流流通原理
(1) N型半導體
圖1是在硅晶
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嵌入式系統 FET
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的享譽業界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創業公司Zaptec開發出世界上最小、最智能、最安全的電動汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產業革命性的創新性初創公司。
作為市場首款內置電子變壓器的電動汽車便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網給任何電動汽車充電。意法半導體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉換性能，讓Zaptec工程師得以設
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意法半導體 SiC
SiC功率半導體正進入多個應用領域
當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產業都對SiC功率半導體的未來發展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實現商業化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場是真實存在的，而且具有廣闊的發展前景。2015年，SiC功率半導體市場(包括二極管和晶體管)規模約為2億美元，到2021年，其市場規模預計將超過5.5億美元，這期間的復合年均增長率預計將達19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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SiC 功率半導體
通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統正常運行，通信電源系統在整個通信行業中占的比例比較小，但它是整個通信網絡的關鍵基礎設施，是通信網絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。通信電源產品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。
圖1：通訊電源機房 目前主流的通訊電源，其參數如下： ? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz ? 輸出功率：2kw ?
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SiC PFC
英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅動IC產品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。 全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農用車等。優化的
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英飛凌 SiC-MOSFET
通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統正常運行，通信電源系統在整個通信行業中占的比例比較小，但它是整個通信網絡的關鍵基礎設施，是通信網絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。
通信電源產品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。
圖1：通訊電源機房
目前主流的通訊電源，其參數如下：
• 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz
• 輸出功率：2kw
• 輸出：最大電壓1
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世強 SiC
SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業上，例如產線機器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動車(EV)，此外還有工廠車間的搬運車等特種車。
相比IGBT，SiC有一些特點，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應適應高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產品，這可體現出耐高壓的特點。
現在ROHM SiC模塊中，300A是量產中最大的電流(如圖)，由幾個芯片并聯在一起的。如果一個芯片40A左右，就需要約七八個芯片并聯，面積只有單個芯片那么大。絕緣層是由氧
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ROHM SiC
東芝在工業領域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關產品。這些產品可以廣泛用到電氣機車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業變頻、電動汽車等工業領域，這些領域對減小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高。 東芝是全球第一個商業化生產IGBT器件的廠家，率先導入了“門級注入增強”技術以降低IGBT靜態損耗，用該技術注冊了東芝大功率IGBT的專用商標---“IEGT”。 東芝電子(中國)公司副董事長野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產品系列。通過使用高耐壓、高結溫的IEGT及SiC材料
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IEGT SiC
大阪大學和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產業技術綜合開發機構(NEDO)的項目下，發現了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長期可靠性的接合材料自我修復現象。研究人員發現，在高溫的設備工作環境下，用作接合材料的銀燒結材料自行修復了龜裂，這大大提高了SiC半導體在汽車等領域的應用可能性。
此次的SiC接合使用銀膏燒結粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環境實施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優點，包
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SiC 功率半導體
全球知名半導體制造商ROHM現身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT(物聯網)的發展做出貢獻的傳感器網絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產品。這些高新領先的技術、強勢多元化的產品、多種熱門應用解決方案，吸引了眾多業內外人士駐足及交流。
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ROHM SiC
EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非常可靠，為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統硅基器件的解決方案。 宜普電源轉換公司發布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現場數據的分布結果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應力測試后的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環及靜電放電等測試。報告提供受測產品的復合0.24 FIT失效率的現場數據。這個數值與我們直至目前為止所取得
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宜普電源 FET
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