使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
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FET 雙極性晶體管 緩沖電路 寬帶
近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。
通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質量和成品率的關鍵技術有很高的
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半導體 SiC
如何保護你的系統不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時，你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現了高反向偏置電壓，系統中的電流以相反的方向運行；從輸出到輸入。幸運的是，有很多方法可以保護你的系統不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠對現有解決方案有高層次的總體認識和了解。
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FET TPS22963 德州儀器 反向電流
揭開電池管理系統的神秘面紗-現在的電子設備具有更高的移動性并且比以前更綠色，電池技術進步推動了這一進展，并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內的廣泛產品。近年來，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動汽車。隨著技術的最新進展，你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
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電池管理系統 FET FET驅動器
摘要 本文評測了主開關采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統具更高的能效，對市場上現有系統設計影響較大。 前言 市場對開關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。 寬帶隙半導體器件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業規劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯網自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創新研究院“美國電力創新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創新中心。
圖1：整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
近年來，SiC(碳化硅)因其優異的節能效果和對產品小型化、輕量化的貢獻，在新能源汽車、城市基礎設施、環境/能源，以及工業設備領域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產品相比，SiC產品憑借更低的開關損耗，可實現設備中冷卻機構的小型化。同時，通過更高頻率的開關動作，還可實現線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見，SiC是可以同時實現設備節能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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ROHM SiC 汽車
在經過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
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SiC Cree
SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優勢。當然，要進行大批量生產，逆變器除了靜態和動態性能之外，還必須具備適當的可靠性，以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了.
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SiC 集成技術 生物電信號 采集方案
人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何
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EEG SiC 生物電信號采集 IMEC
GaN 功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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GaN SiC 第三代半導體材料
與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接，以構成CR的連接方式。此時，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關系，就需要偏置電路來提供柵極電壓。 與晶體管放大電路的接地方式相同，結型FET放大電路也有多種接地方式。 最一般的源極接地電路和自偏置電路 n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反。 FET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為
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FET 放大電路
<概要> 全球知名半導體制造商ROHM面向工業設備用的電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。 本產品通過ROHM獨有的模塊內部結構及散熱設計優化，實現了600A額定電流，由此，在工業設備用大容量電源等更大功率產品中的應用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關損耗降低了64%(芯片溫度150℃時)，這非常有助于應
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ROHM SiC
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