SiC功率半導體接合部的自我修復現象，有望改善產品壽命

　　大阪大學和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產業技術綜合開發機構(NEDO)的項目下，發現了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長期可靠性的接合材料自我修復現象。研究人員發現，在高溫的設備工作環境下，用作接合材料的銀燒結材料自行修復了龜裂，這大大提高了SiC半導體在汽車等領域的應用可能性。

　　此次的SiC接合使用銀膏燒結粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環境實施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優點，包括容易操作;原料便宜;強度高于焊接，達到40MPa以上;熱導率為焊接5倍以上，達到150W/mK以上;可實現無加壓處理或1MPa以下低壓處理。

　　此次在實驗中制備了高密度燒結銀顆粒的拉伸試驗片，對其施加拉伸負荷形成了龜裂。然后，考慮到SiC功率半導體的工作溫度，使該試驗片在空氣環境中保持200～300℃的溫度，研究了龜裂前端的變化和拉伸強度的變化。結果發現，在200℃下經過50小時后，龜裂逐漸閉合，開始自我修復，而且，在300℃下再經過10小時后，龜裂出現更大范圍的閉合，自我修復現象變得更為明顯。另外，在100小時后，拉伸強度恢復到了與無龜裂的試驗片同等的水平。