身為一位記者，我發現撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。
因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
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FD-SOI FinFET
本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態系統，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優勢、應用領域和應用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
中國芯片企業起步較晚，在發展中屢屢遭受國際巨頭的“專利圍剿”，通過支持重點企業的兼并重組及海外收購，培育具有核心競爭力的大型企業，無疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec FD-SOI
在不了解會受到何種損害的情況下，具備高深的數字電子知識的設計師發現，當需要給無線器件確定濾波器參數時，急需復習射頻基礎知識。如果沒有考慮濾波器類型和最低技術規格要求方面的基本要素，可能導致產品不能通過“測試”，結果產品又得重新開始設計，導致代價昂貴的生產推遲。另一方面，懂得如何準確確定濾波器參數，將有助于使生產出的產品滿足客戶的生產標準和功能。事實上，這種知識有助于在提高產品在市場上的成功機會的同時，控制生產費用。 從基礎開始 在當今無線領域，激烈的擴展帶寬的競爭迫使人們要更加關注濾波器的性能。如
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RF 微波濾波器
全球領先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國Soitec半導體公司今日在北京舉辦的新聞發布會中介紹了該公司在中國市場的發展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產及準備狀態、FD-SOI的最新進展及其生態系統。與會發言人包括Soitec公司市場和業務拓展部高級副總裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司數字電子商務部高級副總裁Christophe Maleville。會上主要討論的問題包括該技術是否適合各代工廠及應用設計師廣泛使用，更重要的是，該技術如何解決中國半導體行業及
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Soitec FD-SOI
RF電路布局要想降低寄生信號，需要RF工程師發揮創造性。記住以下這八條規則，不但有助于加速產品上市進程，而且還可提高工作日程的可預見性。
規則1：接地通孔應位于接地參考層開關處
流經所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過回流通常流經相鄰的接地層或與信號線路并行布置的接地。在參考層繼續時，所有耦合都僅限于傳輸線路，一切都非常正常。不過，如果信號線路從頂層切換至內部或底層時，回流也必須獲得路徑。
圖1就是一個實例。頂層信號線路電流下面緊挨著就是回流。當它轉移到底層時，回
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RF 寄生信號
本文以改善RF的信號質量(頻帶外的不必要輻射)為目的，介紹使用了片狀鐵氧體磁珠和片狀電感器的移動終端的PA電源線的噪聲對策方法。 以智能手機為首的移動無線終端的Power Amplifier (PA)中，為了抑制不必要的輻射(頻帶外的&雜散發射)，尋求改善PA的電源質量(PI: 電源完整性)的例子很多。在無線通信中，以國際標準(ITU)為首，3GPP(無線通信標準機構)，以及各運營商都對不必要的輻射的范圍值設定了嚴格的標準。因此，我們有必要通過PA的電源線的噪聲
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RF 噪聲
第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產業和技術展望研討會 時間：2016.01.14?下午 地點：深圳南山軟件創業基地?IC咖啡 演講主題：RF?integrated?module?to?support?CA?and?global?phone 演講人：陶鎮?-?Qorvo移動產品市場戰略部亞太區經理 陶鎮：大家早上好!我是陶鎮，來自Qorvo公司。剛才主持人介紹
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Qorvo RF
蘋果(Apple)宣布以182萬美元從美信半導體(Maxim Integrated)買下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認為，此舉并不會影響與蘋果合作的晶圓代工廠生意。
據SemiWiki報導指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋果買下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開工每月也只能生產1萬片晶圓，規模相對小且老舊，無法生產蘋果所需的應用處理器(AP)。
蘋果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開發中。8吋晶圓近日才微
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三星 FD-SOI
據國外媒體報道，佛羅里達州的RF(射頻)技術研發商ParkerVision本周向美國國際貿易委員會(ITC)和佛羅里達州地區法院提出起訴，指控蘋果、三星、LG和高通等4家公司侵犯了它的某些無線連網專利?！ arkerVision表示，高通和三星制造的無線接收器侵犯它的4項無線連網專利。蘋果、三星和LG都在各自的移動產品中使用了侵權的高通芯片，三星自主研發的Shannon 928 RF收發器也面臨著進一步的審查。 本案涉及的專利包括第6879817號、第7929638號、第8571135號和第911
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RF 蘋果
2015年11月27日，全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術論壇，繼9月23日首場在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開帷幕。來自北京、長三角、西部地區的150多位IC設計精英、知名合作伙伴、行業分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產業趨勢和市場熱點進行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術成果。 公司執行副總裁范恒先生和執行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現場，與參會嘉賓互動交流。同時公司派出了陣容
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華虹 RF-CMOS
在不了解會受到何種損害的情況下，具備高深的數字電子知識的設計師發現，當需要給無線器件確定濾波器參數時，急需復習射頻基礎知識。如果沒有考慮濾波器類型和最低技術規格要求方面的基本要素，可能導致產品不能通過“測試”，結果產品又得重新開始設計，導致代價昂貴的生產推遲。另一方面，懂得如何準確確定濾波器參數，將有助于使生產出的產品滿足客戶的生產標準和功能。事實上，這種知識有助于在提高產品在市場上的成功機會的同時，控制生產費用?！ 幕A開始 在當今無線領域，激烈的擴展帶寬的競爭迫使人們要更加關注濾波器的性能。如
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RF，微波濾波器
DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產業近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協議、于相關高峰論壇上表態等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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半導體 FD-SOI
典型的精密運算放大(運放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講，用戶可能期望千兆赫水平的RF信號衰減到非常低的水平，因為它們遠遠超出了放大器的帶寬范圍。然而，實際情況并非如此。事實上，包含在放大器內的靜電放電(ESD)二極管、輸入結構和其它非線性元件會在放大器的輸入端對RF信號進行“整流”。在實際意義上，RF信號被轉換成一種直流(DC)偏移電壓，這種DC偏移電壓添加了放大器輸入偏移電壓。
用戶也許會問：“對于由給定RF信號產生的DC偏移電壓，我如何確定其幅
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量化射頻 RF
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