“芯”技術，“芯”夢想

　　2015年11月27日，全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術論壇，繼9月23日首場在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開帷幕。來自北京、長三角、西部地區的150多位IC設計精英、知名合作伙伴、行業分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產業趨勢和市場熱點進行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術成果。

　　公司執行副總裁范恒先生和執行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現場，與參會嘉賓互動交流。同時公司派出了陣容強大的技術專家團隊，重點介紹了華虹宏力在嵌入式非易失性存儲器、功率器件、射頻/SOI、電源管理IC等特色工藝技術的最新成果和全方位的設計支持及其他增值服務。

　　公司執行副總裁范恒先生表示，半導體行業發展迅速，市場風云激蕩，而我們保持不變的是“以客戶為中心，為客戶創造價值，與客戶共同成長”的經營理念。這也正是華虹宏力持續努力的方向，不斷創新，深度融入中國半導體產業鏈，用先進的差異化制造技術和高品質服務，成為設計企業可信賴的芯片制造伙伴。

　　公司執行副總裁孔蔚然博士表示，我們成功推出了0.11微米ULL嵌入式閃存。該平臺支持RF-CMOS設計，是物聯網(IoT)應用的最佳選擇。同時針對下一代智能卡、金融卡應用，我們已成功實現90納米eFlash/ eEEPROM工藝的流片。此外，為進一步增加競爭力，我們將推出新一代超級結MOSFET(SJNFET)。華虹宏力將通過加大新技術研發力度，鞏固和提升公司在特色工藝代工領域的領先地位。

　　論壇技術亮點一：

　　IoT時代，嵌入式存儲器工藝大放異彩

　　作為嵌入式非易失性存儲器領域的領導企業，華虹宏力已在智能卡和物聯網方面耕耘多年。公司有嵌入式SONOS Flash和SuperFlash技術，以及eFlash+高壓和eFlash+射頻(RF)兩個衍生工藝平臺。技術節點覆蓋0.18微米到90納米，可將自身一流的嵌入式存儲器技術與低成本CMOS射頻技術結合于一體。同時還可為客戶提供高性能、低操作電壓、低動態功耗的標準邏輯單元庫，并可根據不同需求為客戶定制高速度、低功耗、超低靜態功耗的嵌入式閃存、嵌入式電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)IP，可幫助客戶減小低功耗設計難度，搶占市場先機。

　　另外，適合8位MCU的0.18微米3.3伏與5伏的低本高效OTP(One-Time Programming)/ MTP(Multiple-Time Programming)工藝平臺，采用業界最具競爭力的光罩層數，是目前市場上極具價格優勢的MCU解決方案。

　　華虹宏力依托自身經驗豐富的IP設計、工藝和測試三方面的整合能力，可為客戶提供優化的OTP 解決方案，實現了更小的OTP面積、更高的速度、更低的功耗。華虹宏力還與IP合作伙伴聯合推出了OTP + LogicEE(Logic Technology Compatible EEPROM)的解決方案，以內嵌EEPROM取代8位MCU中成本較高的外掛式EEPROM，可大幅度降低生產成本。

　　在MTP(Multiple-Time Programming)解決方案中，客戶通過MTP IP可以方便地在系統上反復修改設計程序，從而提升客戶產品的功能及有效改善生產存貨管理。在存儲容量1Kx8位到 8Kx16位范圍內，其IP面積極具成本優勢，可應對客戶多元化和高性價比的需求。

　　論壇技術亮點二：

　　節能減排，功率器件技術功不可沒

　　隨著綠色經濟的興起，節能降耗已成潮流。作為開關電源、馬達驅動、LED驅動、新能源汽車和智能電網等電源系統的核心器件，功率半導體是降低功耗、提高效率的關鍵。華虹宏力可為客戶提供獨特的、富有競爭力的超級結MOSFET(Super Junction, SJNFET)和場截止型(Field Stop, FS)IGBT工藝。其中先進的第二代SJNFET技術和新一代的600V~1200V FS IGBT已實現量產，器件性能達到業界一流水平。具有更低導通電阻和更小芯片面積的第二代優化版SJNFET工藝平臺研發成功，現已面向客戶開放。

　　華虹宏力并不止步于此，而是在已有成績的基礎上“趁熱打鐵”，正計劃于明年推出具備更先進性能的第三代SJNFET工藝平臺，進一步鞏固公司在功率分立器件領域的領先地位，為日益增長的移動終端、LED照明和新能源汽車等熱點應用，提供更低功耗、更高效、更小尺寸的綠色芯制造平臺。

　　論壇技術亮點三：

　　RF-SOI射頻技術初見成效

　　近年來，隨著移動互聯網和無線通訊技術的蓬勃發展，射頻芯片在智能終端和消費類電子產品中的應用越來越多。其中，射頻SOI技術是我們關注的重點之一。我們在今年推出了新一代0.2微米射頻SOI工藝平臺，并已成功實現量產。

　　射頻SOI工藝非常適合用于智能手機以及智能家居、可穿戴設備等智能硬件所需的射頻前端設計。我們將積極推進射頻SOI技術在國內市場的業務發展，幫助客戶搶占先機。此外，華虹宏力還可提供一系列高性能且具備成本效益的射頻解決方案，包括射頻CMOS，高阻硅IPD(集成無源器件)以及配備射頻PDK的嵌入式閃存工藝平臺。

　　論壇技術亮點四：

　　綠色生活，電源管理IC技術活力無限

　　隨著客戶對綠色、節能和效率需求的日益增加，出色的電源管理IC(PMIC)技術顯得尤為重要。華虹宏力作為完整的功率IC代工方案提供商，可提供久經驗證的CMOS模擬和更高集成度的BCD/CDMOS工藝平臺。其技術涵蓋1微米到0.13微米，電壓范圍覆蓋1.8伏到700伏，性能卓越、質量可靠，可廣泛應用于智能電表、PMIC、手機/平板電腦PMU以及快速充電(Fast Charge)等產品領域。

　　華虹宏力超高壓700V BCD技術迎合了節能環保熱點，此工藝平臺所支持的高壓小電流LED照明驅動應用市場發展前景十分廣闊。我們將繼續增強用于LED照明的先進差異化工藝技術組合，即將推出的更具競爭力的0.18微米BCD 40V，可滿足客戶多種需求和選擇。在業內有著廣泛知名度的CZ6模擬系列更是以穩定可靠的質量而著稱。展望未來，我們將拓展先進的電源管理平臺，為客戶提供一整套具成本效益的解決方案。

　　*論壇照片：

　　公司執行副總裁范恒先生致歡迎辭并發表精彩演講

　　公司執行副總裁孔蔚然博士作精彩演講

　　華虹宏力2015年度北京站技術論壇，吸引眾多IC設計企業精英與會