- 今年由歐洲兩大主要研發中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應該不是什么秘密。”
Leti位于法國格勒諾布爾市創新園區的核心地帶
不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術論壇這兩大
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FD-SOI 物聯網
- 可控石墨烯薄膜制備方面取得新進展：設計了Ni/Cu體系，利用離子注入技術引入碳源，通過精確控制注入碳的劑量，成功實現了對石墨烯層數的調控，有助于實現石墨烯作為電子材料在半導體器件領域真正的應用。
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石墨烯 SOI
- 美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。
FD- SOI技術仍然采用平面型晶體管，目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
- 多輸入多輸出，更高的效率Wi-Fi系統的效能與容量將邁入新境界。
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Wi-Fi RF
- 格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。
雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX 采用業內首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(FD-SOI)工
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格羅方德 FD-SOI
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
- 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。
例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點采用
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FinFET FD-SOI
- 手機終端增加移動支付芯片不只是簡單的芯片硬件成本，還有更多其他配套成本，但是增加一個功能可以帶來差異化，差異化可以給手機帶來的溢價。
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NFC RF
- 身為記者，我有時候會需要經過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關宣傳稿，然后才能把許多線索串聯在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)就是一個例子。
我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產業人士討論技術的過程中，發現FD-SOI從一個不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關于這個技術，我在最近這幾個星期所收集到的隨機
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晶圓 FD-SOI
- 一直以來，蜂窩電話都使用超外差接收器和發射器。但是，隨著對包含多標準(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模終端的需求不斷增長，直接轉換接收器和發射器架構變得日趨流行。在過去十年中，集成電路技術取得長足發展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號和基帶處理功能成為可能。
一個典型的蜂窩收發器(見圖)包括RF前端、混合信號部分和實際的基帶處理部分。就接收器而言，通常的架構選擇包括直接轉換到直流、極低中頻(IF)和直接采樣。直接轉換到直流的方法會受直流偏移和低頻噪音干擾，而低IF可以減
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RF 混合信號
- 在過去的幾十年中，混合信號集成電路(IC)設計一直是半導體行業最令人興奮、且在技術上最具挑戰的設計之一。在這期間，盡管半導體行業取得了不少的進步，但是一個永恒不變的需求是保證我們所處的模擬世界能夠與可運算的數字世界實現無縫對接，當前無處不在的移動環境和迅速崛起的物聯網(IoT)“再創新”的要求尤為如此。
當今全球半導體的市場份額約為3，200億美元，數字和存儲器IC約占這個市場的三分之二。摩爾定律(Moore‘s Law)和先進的CMOS處理技術驅動著這些IC
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RF 混合信號
- 在電子設計中，模擬/RF設計一直是最讓設計師頭疼的部分，傳統上，模擬射頻器件供應商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設計，但 是，要讓器件運轉正常，設計師需要更多實際電路的評估和測試，這方面需要時間和經驗的積累，也是非常耗費精力財力的，有沒有什么辦法讓設計師可以加快這方 面的設計呢?或者能實現模擬射頻電路的復用?ADI的實驗室電路給出了一些探索。
“ADI的實驗室電路不同于參考設計，是更接近實際應用的 電路。”ADI電路工程師胡生富在接受電子創新網采訪時表示，
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ADI RF
- 當射頻電路一切都按預先設定的方案設計完成之后，其性能不一定就會完全達標，其中會導致射頻性能不達標的一個重要因素有可能就是電磁干擾，而電磁干擾并不一定是因為射頻范疇內電路布局、布線不合理造成，亦可能是因為其它方方面面的原因。大多數情況導致干擾出現都是當和其它電路，如數字電路部分、電源電路部分等組合后才產生的。
處理干擾問題是做設計工作必須的、更是射頻設計、預研工作重點之一。在此簡單談談我們對射頻方面電磁干擾的理解與認識。
電磁干擾(EMI)在電子系統與設備中無處不在，在射頻領域表現卻特別突出
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RF EMC
- 隨著模數轉換器(ADC)的設計與架構繼續采用尺寸更小的過程節點，一種新的千兆赫ADC產品應運而生。能以千兆赫速率或更高速率進行直接RF采樣且不產生交織偽像的ADC為通信系統、儀器儀表和雷達應用的直接RF數字化帶來了全新的系統解決方案。
最先進的寬帶ADC技術可以實現直接RF采樣。就在不久前，唯一可運行在GSPS (Gsample/s)下的單芯片ADC架構是分辨率為6位或8位的Flash轉換器。這些器件能耗極高，且通常無法提供超過7位的有效位數(ENOB)，這是由于Flash架構的幾何尺寸與功耗限
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ADC RF 轉換器 LVDS FPGA
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