- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業界關注，為何?因為FD-SOI技術。
眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續命的高招。
盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，FinFET陣營占據絕對優勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。
今天我們就來談談Fi
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FinFET FD-SOI
- 中國半導體業發展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑，其中骨干企業的責任尤為重要。
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SOI finFET
- RF電路布局要想降低寄生信號，需要RF工程師發揮創造性。記住以下這八條規則，不但有助于加速產品上市進程，而且還可提高工作日程的可預見性。
規則1：接地通孔應位于接地參考層開關處
流經所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過回流通常流經相鄰的接地層或與信號線路并行布置的接地。在參考層繼續時，所有耦合都僅限于傳輸線路，一切都非常正常。不過，如果信號線路從頂層切換至內部或底層時，回流也必須獲得路徑。
圖1就是一個實例。頂層信號線路電流下面緊挨著就是回流。當它轉移到底層時，回
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RF 寄生
- 摘要 半導體工藝和RF封裝技術的不斷創新完全改變了工程師設計RF、微波和毫米波應用的方式。RF設計人員需要比以往任何時候都更具體、更先進的技術和設計支持。設計技術持續發展，RF和微波器件的性質在不久的未來將大不相同。本文介紹各種類型的混頻器、各自的優缺點，以及在不同市場中應用的演變。本文討論不同混頻器件(主要是混頻器)不斷變化的面貌，以及技術進步如何改變不同市場的需求。 簡介 在RF和微波設計中，混頻是信號鏈最關鍵的部分之一。過去，很多應用都受制于混頻器的性能。混頻器的頻率范圍、轉換損耗和線性度
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混頻器件 RF
- IF/RF可變增益放大器(VGA)MAX2063。該款易于控制的器件具有優異的VGA性能、完全的編程特性和極高的元件集成度。MAX2063提供獨特的“速射”增益選擇，每通道可選擇四種定制的衰減狀態。此外，器件還具有25ns的快速數字切...
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IF RF 可變增益 放大器 MAX2063
- 圖1中第1部分為整流濾波電路，采用全波橋式整流與電容濾波將220V交流變為311V平滑直流。第2部分為開關電源，將311V直流變為100kHz脈沖電流，再經電容、電感濾波后變為30V、8A直流。第3部分包括由振蕩器與放大器兩部分組成...
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RF CO2激光器 電源原理
- 摘要：針對實際應用需求，結合Basic-RF無線通信技術、網絡通信技術和GSM通信技術設計了一種基于Basic-RF的家居環境監測預警系統。系統由信息處理子系統和無線傳感器網絡子系統兩部分組成，無線傳感器網絡子系統利用C
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無線傳感器網絡 環境監測 Basic-RF ENC28J60 GSM
- 迅速發展的射頻集成電路為從事各類無線通信的工程技術人員提供了廣闊的前景。
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RF PCB設計
- 處理器、顯示技術、壓縮算法和無線數據通信等眾多領域的進步正在造就新一代具有豐富功能的消費類電子產品。為了在這個誘人的市場取得成功，制造商們需要新的設計方法，使他們能夠以更快的速度向市場推出更多功能、更
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模擬 RF
- 在今年，業界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術比較，轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。
因為沒有可見的終端產品能證明其號稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半導體產業界許多工程師的質疑，例如：該技術的好處在哪?在商業市場上有實際產品嗎?它真正的優勢何在?
終于，現在有實際產品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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智能手表 FD-SOI
- 日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會”上，SOI產業聯盟稱，RF-SOI生態系統現已建立完善，并成為天線調諧器與射頻開關的主流技術，占據了95%的市場份額，該系統有利于IoT連接和5G的發展，為了更深層地與射頻前端器件結合，RF-SOI這種突破型技術還需要更多的創新和突破性的方案。
目前，RF-SOI技術主要應用于智能手機、WiFi等無線通訊領域，具有性能高、成本低等優勢。上海新傲科技股份有限公司總經理王慶宇稱，國際上3G/4G手機用的射頻器件
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RF-SOI 5G
- 格羅方德9月8日發布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節點縮放和超低功耗，并通過軟件控制實現按需定制性能，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
隨著數以百萬計的互聯設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用于實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統，集成包括無線連接、非易失性存
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格羅方德 FD-SOI
- 1. RF無線射頻電路設計中的常見問題射頻(RF) PCB設計，在目前公開出版的理論上具有很多不確定性，常被形容為一種“黑色藝術”。通常情況下，
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RF 集成電路
- 格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖，從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
隨著數以百萬計的互聯設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用于實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來越多的組件，
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格羅方德 FD-SOI
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