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三星外包低端光掩模，將資源集中在ArF和EUV上
- 據(jù) The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產(chǎn)。到目前為止，該公司一直在內(nèi)部生產(chǎn)所有光掩模，以防止技術(shù)泄漏。Elec 表示，據(jù)報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應(yīng)商，例如 i-line 和 KrF。與此同時，消息人士稱，三星計劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報告所強調(diào)的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進，將成為增強三星技術(shù)競爭力的關(guān)鍵。據(jù) Business Korea 援引消
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三星被曝將首次外包芯片“光掩?！鄙a(chǎn)，聚焦ArF和EUV等先進技術(shù)
- 5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進行外包。據(jù)稱，目前三星已啟動供應(yīng)商評估流程，候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠址位于京畿道），評估結(jié)果預(yù)計第三季度公布。TheElec 報道稱，三星準備將低端產(chǎn)品（i-
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ASML計劃在荷蘭大規(guī)模擴張，助力EUV設(shè)備交付
- 據(jù)荷蘭媒體報道，ASML計劃在2028年前將其員工遷入位于荷蘭埃因霍溫附近的全新Brainport產(chǎn)業(yè)園區(qū)。這一消息是在ASML與埃因霍溫市政府官員共同介紹城市發(fā)展計劃初步草案時透露的。這一擴張計劃引發(fā)了全球晶圓制造行業(yè)的廣泛關(guān)注。據(jù)Tom's Hardware報道，臺積電、英特爾和三星電子等半導體巨頭或?qū)闹惺芤妗SML的擴張如果能按計劃推進，將有助于滿足全球?qū)O紫外光（EUV）光刻設(shè)備的迫切需求，從而加速先進制程的開發(fā)與應(yīng)用。Brainport產(chǎn)業(yè)園區(qū)的擴張計劃大約在一年前首次公開。據(jù)荷蘭消
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ASM宣布將啟動美國本土生產(chǎn)以應(yīng)對關(guān)稅壓力
- 據(jù)媒體報道，荷蘭半導體設(shè)備制造商ASM International（簡稱“ASM”）在2025年第一季度財報電話會議上宣布，將立即啟動在美國本土的生產(chǎn)計劃，以應(yīng)對美國近期實施的關(guān)稅政策。今年4月初，美國總統(tǒng)特朗普簽署了一項“對等關(guān)稅”行政令，宣布對包括荷蘭在內(nèi)的歐盟成員國加征25%的鋼鐵、鋁和汽車進口關(guān)稅，其他商品則面臨20%的關(guān)稅。這一政策覆蓋了歐盟對美出口的約70%，總價值高達5320億歐元。此外，特朗普還計劃對暫時豁免的藥品、半導體等產(chǎn)品單獨加征關(guān)稅。為避免關(guān)稅影響，ASM首席財務(wù)官Paul Ver
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臺積電避免使用高NA EUV光刻技術(shù)
- 根據(jù)臺積電北美技術(shù)研討會的報告，代工臺積電不需要使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工藝上制造芯片。該公司在研討會上介紹了 A14 工藝，稱預(yù)計將于 2028 年投產(chǎn)。之前已經(jīng)說過，A16 工藝將于 2026 年底出現(xiàn)，也不需要高 NA EUVL 工具。“從 2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續(xù)保持類似的復雜性，”據(jù)報道，業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁 Kevin Zhang 在發(fā)布會上說。這與英特爾形成鮮明對比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實施一項計
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地都賣了，三星電子與ASML半導體研發(fā)合作還能繼續(xù)嗎？
- 三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元（約1萬億韓元），在大都市地區(qū)建立極紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未來的半導體制造設(shè)備以保持三星在先進工藝制程技術(shù)的領(lǐng)先性。針對這次合作，ASML特別與韓國土地住宅公社（LH）簽訂了在京畿道華城購買6個地塊（約 19,000 平方米）的合同以建設(shè)研發(fā)中心。不過最近這項計劃可能出現(xiàn)了一些變動， ASML最近出售了其中的兩塊地塊，并且正在處理另外兩塊地塊。盡管還剩下兩個地塊，但ASML似乎沒有計劃在剩余的空間里與三星建立研發(fā)中心。 ASML 是
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前英特爾CEO加入光刻技術(shù)初創(chuàng)公司
- 近日，英特爾前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，擔任董事會執(zhí)行董事長，xLight官網(wǎng)上個月也公布了這一消息。xLight是一家面向極紫外（EUV）光刻機開發(fā)基于直線電子加速器的自由電子激光（FEL）技術(shù)的EUV光源系統(tǒng)的初創(chuàng)公司。xLight雖然規(guī)模很小，但其團隊在光刻和加速器技術(shù)領(lǐng)域擁有多年的經(jīng)驗，不僅擁有來自斯坦福直線加速器和其他地方的粒子加速器資深研究人士，其首席科學家Gennady Stupakov博士還是2024年IEEE核能和等離子體科學學會粒子加速器科學
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三星已組建專注于1nm芯片開發(fā)的團隊 量產(chǎn)目標定于2029年
- 2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發(fā)的技術(shù)限制。一份新報告指出，該公司已經(jīng)成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產(chǎn)目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術(shù)的應(yīng)用。1nm 晶圓的開發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設(shè)備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出 2 納米以下芯片，據(jù)報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過程中
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ASML計劃在日本擴增五倍EUV芯片工具員工
- 近日，荷蘭半導體設(shè)備制造商ASML宣布，計劃在日本將其先進的極紫外光（EUV）芯片工具的員工人數(shù)擴增五倍，這一舉措旨在加強其在全球半導體市場的競爭力。隨著全球?qū)Ω咝阅苄酒枨蟮募ぴ觯珹SML的這一決策不僅能提升其在日本的業(yè)務(wù)運營，也將進一步推動當?shù)匕雽w產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。ASML在全球的影響力不斷增強，特別是在EUV技術(shù)方面，該技術(shù)被認為是制造下一代高性能芯片的關(guān)鍵。隨著日本在半導體制造領(lǐng)域的持續(xù)投入，ASML的擴張計劃將有助于促進當?shù)厝瞬诺呐囵B(yǎng)及技術(shù)的進步。此外，ASML的擴展計劃正值日本其他半導體公司如Ra
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EUV的未來看起來更加光明
- 對支持一切 AI 的先進節(jié)點芯片的需求迅速增長，這給該行業(yè)滿足需求的能力帶來了壓力。從為大型語言模型提供支持的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心，到智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和自主系統(tǒng)中的邊緣 AI，對尖端半導體的需求正在加速。但制造這些芯片在很大程度上依賴于極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)，這已成為擴大生產(chǎn)規(guī)模的最大障礙之一。自 2019 年第一批商用 EUV 芯片下線以來，設(shè)備、掩模生成和光刻膠技術(shù)的穩(wěn)步改進使該技術(shù)穩(wěn)定下來。但是，雖然良率正在提高，但它們?nèi)匀宦浜笥诟墒斓墓饪碳夹g(shù)。工藝穩(wěn)定性需要時刻保持警惕和微調(diào)。就 EUV
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英特爾：ASML首批兩臺High-NA EUV設(shè)備已投產(chǎn)
- 據(jù)路透社報道，半導體大廠英特爾近日表示，半導體設(shè)備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數(shù)值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產(chǎn)，且早期數(shù)據(jù)顯示，這些設(shè)備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會議上指出，英特爾已經(jīng)利用ASML高數(shù)值孔徑光刻機在一個季度內(nèi)生產(chǎn)了3萬片晶圓，這些晶圓是足以生產(chǎn)數(shù)千個計算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進設(shè)備的芯片制造商，與之前的ASML設(shè)備相比，這些機器可望制造出更小
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英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產(chǎn)，單季完成3萬片晶圓
- 據(jù)路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作，從而節(jié)省時間和成本。英特爾工廠的早期結(jié)果顯示，High NA EUV 機器只需要一次曝光和“個位數(shù)”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處
- 關(guān)鍵字： 英特爾 High NA EUV 光刻機 晶圓
英特爾：首批兩臺High-NA EUV 設(shè)備已投產(chǎn)
- 英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數(shù)值孔徑（High NA）曝光機一季內(nèi)生產(chǎn) 3 萬片晶圓，即生產(chǎn)數(shù)千顆運算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設(shè)備的芯片制造商，與之前ASML設(shè)備相比，這些機器可望制造出更小、更快的運算芯片。 此舉是英特爾策略轉(zhuǎn)變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機時落后競爭對手。英特爾花了七年才將之前機器全面投產(chǎn)，導致領(lǐng)先優(yōu)勢被臺積電超越。 生產(chǎn)
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