芯片巨頭，盯上EUV

三星電子正在推動關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的本土化，此舉引起廣泛關(guān)注，因?yàn)樵摴驹噲D減少對日本進(jìn)口的嚴(yán)重依賴。在美國、日本、中國大陸和中國臺灣的全球半導(dǎo)體主導(dǎo)地位競爭日益激烈的背景下，這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變被視為應(yīng)對韓日關(guān)系潛在緊張的主動措施。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子半導(dǎo)體部門正在加快努力用韓國本土替代品取代「ArF（氟化氬）空白掩模」。這些掩模在半導(dǎo)體光刻工藝中至關(guān)重要，占整個階段的 40% 以上。目前，三星對這些掩模的采購嚴(yán)重依賴日本的 Hoya。然而，三星現(xiàn)在正與韓國生產(chǎn)商 S&S Tech 密切合作，以實(shí)現(xiàn)本土化。一位業(yè)內(nèi)人士透露，「三星一直在接收少量國產(chǎn) ArF 空白掩膜，但最近已開始評估在特定工藝中全面采用。」

除了 ArF 空白掩膜，三星還在加大力度將其他高度依賴日本的材料本地化。對于目前由日本三井化學(xué)主導(dǎo)的 EUV 薄膜，三星正在與韓國 FST 合作實(shí)現(xiàn)本地化。此外，對于高帶寬存儲器（HBM）的關(guān)鍵材料非導(dǎo)電膜（NCF），三星正在與 LG Chem 合作。目前，NCF 材料 100% 由日本 Resonac 供應(yīng)給三星。

三星材料供應(yīng)鏈的多樣化主要是為了應(yīng)對人工智能（AI）革命引發(fā)的半導(dǎo)體需求激增。這種需求需要多樣化目前由一兩家公司壟斷的工藝材料。該戰(zhàn)略還考慮到與美國和日本以及中國大陸和中國臺灣之間日益激烈的半導(dǎo)體主導(dǎo)地位競爭。

日本則在培育 Rapidus 等新芯片制造公司，以增強(qiáng)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。如果日本再次對半導(dǎo)體材料實(shí)施類似于 2019 年的出口限制，韓國國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)線可能會面臨嚴(yán)重中斷。一位資深行業(yè)官員評論說：「在最近國內(nèi)外政治局勢變化的情況下，韓美、韓日、韓中關(guān)系的波動性比以往任何時候都高，三星從多個角度加強(qiáng)風(fēng)險(xiǎn)管理的努力意義重大。」

據(jù)悉，三星電子將從 ASML 引進(jìn)首臺 High-NA EUV 光刻機(jī) EXE:5000，預(yù)計(jì) 2025 年初到貨。這意味著三星將正式加入與英特爾和臺積電在下一代光刻技術(shù)商業(yè)化研發(fā)方面的競爭。

ASML 的 High-NA EUV 光刻機(jī) EXE:5000 是一款先進(jìn)的極紫外光刻設(shè)備，具有高數(shù)值孔徑 (NA) 和 8nm 的分辨率，相較于之前的 NXE 系列光刻機(jī)，其分辨率顯著提高。這款光刻機(jī)采用了 0.55 NA 的透鏡，能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的圖案化，從而支持更小的物理特征尺寸。

根據(jù)此前相關(guān)資料，EXE:5000 的設(shè)計(jì)使其能夠每小時處理超過 185 片晶圓，相比 NXE 系列的產(chǎn)能有所提升。然而，目前的生產(chǎn)速度僅為每小時 150 片晶圓，預(yù)計(jì)到 2026 年左右將提升到每小時約 200 片晶圓。

EXE:5000 光刻機(jī)預(yù)計(jì)將在 2025 年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。目前，該設(shè)備已經(jīng)向英特爾交付了首批模塊，并且正在安裝和測試中。

與此同時，三星電子正在與蔡司集團(tuán)深化在下一代極紫外光刻技術(shù)和芯片技術(shù)領(lǐng)域的合作。

三星電子執(zhí)行董事長李在镕在訪問位于奧伯科亨的全球光學(xué)和光電子技術(shù)集團(tuán)總部時，與蔡司公司總裁兼首席執(zhí)行官 Karl Lamprecht 及其他高管進(jìn)行了會晤。

雙方同意擴(kuò)大在 EUV 技術(shù)和尖端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)方面的合作，以進(jìn)一步增強(qiáng)在代工和存儲芯片領(lǐng)域的業(yè)務(wù)競爭力。作為全球頂尖的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）芯片生產(chǎn)商，三星電子與蔡司集團(tuán)在 EUV 技術(shù)方面擁有廣泛的合作基礎(chǔ)。

通過與蔡司集團(tuán)深化合作，三星電子期望改進(jìn)其下一代半導(dǎo)體技術(shù)，優(yōu)化芯片制造工藝，并提高先進(jìn)芯片的產(chǎn)量。通過這次合作，三星希望提升下一代半導(dǎo)體技術(shù)，優(yōu)化芯片制造流程，提高先進(jìn)芯片的生產(chǎn)良率。

蔡司還計(jì)劃到 2026 年投資 480 億韓元在韓國建設(shè)研發(fā)中心，加強(qiáng)同三星等韓企的戰(zhàn)略合作，以建立其首個海外研究工作站，專注于解決方案研發(fā)。

三星電子的目標(biāo)是推動 3 納米以下的微制造工藝技術(shù)的發(fā)展，此外，該公司還計(jì)劃在東北亞地區(qū)建立首個先進(jìn)邏輯和存儲芯片流程控制解決方案研發(fā)中心，以滿足該地區(qū)對光學(xué)解決方案不斷增長的需求。

蔡司集團(tuán)是全球領(lǐng)先的極紫外（EUV）光系統(tǒng)供應(yīng)商 ASML Holding NV 的唯一光學(xué)系統(tǒng)供應(yīng)商，對于全球芯片產(chǎn)業(yè)，特別是代工芯片制造商如臺積電和三星電子等具有重要影響力。