IEEE：NAND閃存技術將在十年之內遭遇技術極限

　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。

　　PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態和非結晶態相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內能保存多個比特，因此存儲密度和成本都有望優于機械硬盤。三星已經開始量產相變存儲芯片，Intel和意法半導體聯合投資的Numonyx也很看重該技術，但其最大的劣勢是功耗較高。

　　STTRAM類似于磁性RAM，基于電子自旋理論，通過調整磁性隧道結的平行與反平行方向來使用旋偏振電流讀寫數據，最大特點就是高能效，但缺點是每單元只能存儲一個比特，因此容量和成本改進空間受限，和PCRAM正好相反。

　　說了半天，NAND閃存呢?盡管它已經非常流行，盡管它功耗更低、訪問速度更快、機械可靠性更好，但單位容量成本仍是機械硬盤的將近十倍。如今一塊 500GB容量的機械硬盤大約要100美元，而按照當前速度發展，到2020年的時候雙碟2.5寸機械硬盤的容量將達到14TB，成本卻只要40美元。

　　Mark Kryder和Chang Soo kim預言，NAND閃存技術將在十年之內遭遇技術極限，取代機械硬盤就無從談起了。

　　其他非易失性技術：鐵電體RAM、磁性RAM、碳納米管RAM、電阻式RAM、銅橋RAM(Copper Bridge)、全息存儲、單電子存儲、分子存儲、聚合物存儲、賽道存儲(Racetrack Memory)、探測存儲(Probe Memory)。這些技術各有各的特色，但大都還處于理論研究或者初級試驗階段，距離大范圍實用還非常遙遠。